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  • 拼 命 加 载 中 ...   目前服务器和PC领域是DDR3内存标准当道,移动和智能设备平台上则以低功耗的LPDDR2内存主打,不过据PCWatch报道JEDEC已经未雨绸缪,分别制定了DDR4和LPDDR3标准以接替二者的工作。相关的新一代内存技术细节也在日前的ISSCC 2012会议上陆续披露。

    DDR4:速度翻番,2013年开始应用

      主流的DDR3内存速率为1.6Gbps(DDR3-1600),DDR4的目标是速度至少提高一倍,起始速率达到3.2Gbps,最早将会在2013年应用在服务器市场,2014年才能走入PC平台。

      其实三星电子已在去年1月4日就制造出了DDR4内存,使用的工艺是30nm,速率为2133Mbps,工作电压1.2V,容量2Gbit。

      三星拿出的4Gbit容量DDR4显存工作电压1.2V,依然是3层CMOS 30nm制造工艺,未来会采用下一代20nm工艺。

      试产的型号实际工作电压1.14V,速率也可以达到3.3Gbps。上图展示的就是三星DDR4内存的核心。

      Hynix展出的DDR4内存容量为2Gbit,制程工艺为3层布线的38nm工艺,速率为2.4Gbps,工作电压也是1.2V。

      如果将DDR4内存的频率降至DDR3相同的2133Mbps,那么前者的功耗相比DDR3可以降低80%。而且即便电压降至1.0V,速率依然能保持在2.4Gbps左右。

    LPDDR3:带宽翻倍,能耗更低

      目前在智能设备领域广泛使用的LPDDR2也将会升级到LPDDR3标准,带宽将从3.2GB/s提高到6.4GB/s,频率从400MHz提高到800MHz,同时更加节能,预计在2013年开始推广。

      三星展示的LPDDR3内存使用30nm工艺,容量4Gbit,电压1.2V,32bit位宽,速率1.6Gbps,带宽可达6.4GB/s。

    三星展示的4Gbit LPDDR3内存核心面积为82mm2

    85°C高温测试显示降至1.05V下速率依然能维持在800MHz(1600MT/s)

      Hynix展示的4Gbit DDR3内存核心面积只有30.9mm2,因为它使用的制程工艺为23nm,2层铜布线、1层铝布线。电压也只有1.2V,与超低电压版DDR3U相当,核心工作电压甚至可以低至1.05V。

      ISSCC 2012会议上的DRAM厂商只有三星和hynix这两家,日系荣光尔必达和美系精英镁光都没有露面,尔必达去年11月虽然宣布了4Gbit LPDDR3内存,但是目前自身难保,镁光在DRAM内存上也大不如前,只有大韩民国的两家厂商兄弟之争了。

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    • 游客 2012-02-24 09:40

      三星壓根就是受益於20nm~什麼DDR4~~

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      5#

    • 梦露博士 2012-02-24 00:18  加入黑名单

      期待啊。。。

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      4#

    • 游客 2012-02-23 18:20

      這種東西戴寬高的好處應該只有顯卡受惠吧! 反正intel只要不支援DDR4一切都浮雲

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      3#

    • 游客 2012-02-23 15:43

      网友 [Guest] 的原贴:1楼
      4核双DDR3基本饱和了,6/8核双DDR4还差不多.
      以后的ddr4还需要双吗,单通道8g或16g足够

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      2#

    • 游客 2012-02-23 12:51

      4核双DDR3基本饱和了,6/8核双DDR4还差不多.

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      1#

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