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  • 本文约621字,需1分钟阅读(全文浏览   主流的NAND闪存工艺是25nm,东芝则为24nm,下一代工艺就是ONFI阵营的20nm以及东芝Toggle DDR阵营的19nm了,ComputeX展会上东芝正式发布了19nm工艺的SSD新品,而IMFT的20nm工艺SSD也有展出,之前我们也做过一个20nm工艺SSD的全球首测。

      Tweaktown现场测试了这两款SSD,包括东芝19nm工艺和IMFT 20nm工艺的,使用的主控都是SF-2281,他们是发了两篇新闻的,这里整合到一起,但是还是两页来显示。

      测试系统由LSI提供,Tt强调与他们日常测试的优化机器配置不同,而且开了C-State节能,性能有可能偏低一些。

      首先是IMFT 20nm工艺的SSD。


    HD Tune平均读取速度为364.7MB/s


    平均写入速度为364.9MB/s


    随机读取速度,17.6MB/s还是比较低的


    随机写入速度


    CDM测试读写,速写速度更低


    Anvil Storage测试工具的可压缩数据测试


    Anvil Storage测试工具的不可压缩数据测试


    PCMark Vanate测试

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    已有 3 条评论,共 3 人参与。
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    • 游客  2012-06-10 22:50

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      3#

    • 游客  2012-06-09 23:19

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 超能网友管理员 2012-06-09 14:10    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      1#

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