近日SK海力士和IBM共同宣布，他们已经签署了相关协议，日后将联手开发相变随机存储器，并有SK海力士进行对应产品的生产和销售。

　　相变随机存储器即Phase Change Random Access Memory（以下简称PCRAM），是一种通过相位变化存储数据的RAM芯片，其同时拥有NAND和DRAM芯片的优点，读写速度是NAND芯片的100倍，寿命更是NAND芯片的1000倍，而且在断电的情况下也不会丢失数据，功耗则与普通DRAM芯片相仿，是未来比较理想的数据存储芯片。在去年6月底，IBM曾经宣布他们在多位相变存储上获得了重大突破。

　　据消息称，目前PCRAM的定位是介乎于DRAM和NAND之间的，毕竟在速度上仍然不及DRAM，而存储密度则比不上NAND。因此PCRAM在推出之初很可能会用作于DRAM和NAND芯片之间的高速缓存。

　　其实早在2007年，SK海力士（当时仍然是海力士）成功开发出40nm工艺1Gb容量的PCRAM芯片，不过由于成本和市场接受度等众多原因，PCRAM未能进入量产，而是继续进行研究，寻找更多突破口。现在SK海力士和IBM合作后，前者将获得后者在PCRAM领域的技术支持，未来将会有更多大容量、高速度的相变存储芯片诞生，全面取代DRAM和NAND就不再是空口说白话了。