下一代非易失性存储技术争霸战中,MRAM(磁阻随机存取存储器)得到了最多关注,包括Intel、高通、三星在内的业界大腕也都在研究这一技术,另一个竞争者就是PCM(相变存储器),代表人物则是美光,日前他们宣布已经成功大规模量产PCM,这将为PCM进入市场提供更多可能。
MaximumPC报道称,美光使用45nm工艺成功量产1Gb PCM闪存,工作电压为标准的1.8V,实际上这个内存是由1Gb容量的PCM闪存和512Mb的低功耗DDR2闪存组成,二者使用相同的传输界面。
美光公司希望初期的产品用于功能手机中,因为目前制造出的PCM容量还比较低,未来的PCM产品有望用于智能手机和平板中。
PCM闪存是以bit为单位进行单元擦除,这与NAND闪存以block区块为单位擦除有明显不同,因此擦除速度更快,这意味着其写入性能更高,美光的F&Q页面上表示PCM随机读取速度有400MB/s,这还只是第一代产品的性能。此外,美光表示PCM闪存的启动速度更快。
与NAND闪存一样,PCM也存在写入次数限制,不过PCM的特性就是每个cell单元都可以存储多位bit,因此PCM的可靠性理论上高于NAND,美光生产的PCM闪存写入次数高达10万次,堪比SLC闪存。
游客 2012-07-18 11:53
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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游客 2012-07-18 11:45
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游客 2012-07-18 11:35
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游客 2012-07-18 10:45
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