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      在使用30nm级别工艺量产2GB LPDDR2内存模组的一年之后,三星开始了30nm级别工艺2GB LPDDR3内存模组的量产。这款LPDDR3内存模组的工作频率为1600MHz,比同级别工艺LPDDR2模组还要快50%,理论数据传输速率可达12.8GB/s,非常适合用在智能手机或平板电脑等移动设备上。

      这款内存模组是通过4块4Gb LPDDR3内存芯片封装而成,总容量为2GB,虽然传统PC例如台式机和笔记本电脑等产品作用不大,但是对智能手机和平板电脑来说就非常有用,意味着只需一块芯片即可提供2GB的内存。从现有的发展趋势来说,智能手机和平板电脑的内存容量很快就会达到2GB的水平,现在量产2GB LPDDR3内存模组改好可以赶上这个潮流。

      除此之外,三星亦开始量产128GB的NAND闪存模组,同样使用30nm级别工艺并通过多芯片封装而成,主要针对的仍然是智能手机与平板电脑领域。纵观目前整个移动设备领域,特别是智能手机与平板电脑领域,只有部分旗舰级产品会提供64GB的内置存储空间,能配置更高容量的产品基本不存在。三星这次量产128GB NAND闪存模组则为未来的新旗舰打下了“超大容量”的基础。

      另外我们不妨如此猜测,既然三星已经量产30nm级别2GB LPDDR3内存模组和128GB NAND闪存模组,那么预计在MWC 2013大会上露面的Galaxy S IV手机,是不是该配置2GB内存和128GB的存储容量呢?这种可能性还是蛮大的。

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