E X P
正努力加载中…
  • 编辑
  • 评论
  • 标题
  • 链接
  • 查错
  • 图文
  • 拼 命 加 载 中 ...

      在使用30nm级别工艺量产2GB LPDDR2内存模组的一年之后,三星开始了30nm级别工艺2GB LPDDR3内存模组的量产。这款LPDDR3内存模组的工作频率为1600MHz,比同级别工艺LPDDR2模组还要快50%,理论数据传输速率可达12.8GB/s,非常适合用在智能手机或平板电脑等移动设备上。

      这款内存模组是通过4块4Gb LPDDR3内存芯片封装而成,总容量为2GB,虽然传统PC例如台式机和笔记本电脑等产品作用不大,但是对智能手机和平板电脑来说就非常有用,意味着只需一块芯片即可提供2GB的内存。从现有的发展趋势来说,智能手机和平板电脑的内存容量很快就会达到2GB的水平,现在量产2GB LPDDR3内存模组改好可以赶上这个潮流。

      除此之外,三星亦开始量产128GB的NAND闪存模组,同样使用30nm级别工艺并通过多芯片封装而成,主要针对的仍然是智能手机与平板电脑领域。纵观目前整个移动设备领域,特别是智能手机与平板电脑领域,只有部分旗舰级产品会提供64GB的内置存储空间,能配置更高容量的产品基本不存在。三星这次量产128GB NAND闪存模组则为未来的新旗舰打下了“超大容量”的基础。

      另外我们不妨如此猜测,既然三星已经量产30nm级别2GB LPDDR3内存模组和128GB NAND闪存模组,那么预计在MWC 2013大会上露面的Galaxy S IV手机,是不是该配置2GB内存和128GB的存储容量呢?这种可能性还是蛮大的。

    ×
    热门文章
    1Intel的Alder Lake处理器阵容泄漏,种类多到看花眼
    2AMD处理器市场份额达到18.3%,是7年来新高
    3不想用电视来打主机游戏? 玩家国度将推出首款HDMI 2.1显示器
    4传闻:桌面版Zen 3处理器的16核工程样片最高频率冲上4.8GHz
    5三星发布Galaxy Note20系列手机:S Pen升级是亮点,价格999美元起
    6超能课堂(240):号称OLED终结者的QLED到底是什么东东?
    7Intel确认在9月2日发布Tiger Lake,可能会在8月13日公开其架构细节
    8影驰推出HOF EXTREME内存:三星B-die,10层PCB,最高4400MHz
    9爬山用高端智能手表的新选择,三星发布更轻、更小巧的Galaxy Watch3
    已有 0 条评论,每一条合规评论都是对我们的褒奖。
    我来评论
    为你推荐