通过使用电压而不是流动的电流，UCLA（加州大学洛杉矶分校）Henry Samueli工程和应用科学学院的研究人员对计算机的MRAM（磁性随机存储器）作出了重大的改进。

　　UCLA的研究小组将这种改进后的MRAM称为MeRAM（磁电随机存储器），MeRAM很可能会用在将来所有电子应用的内存芯片中，包括智能手机、平板电脑、PC和微处理器，它还可以用于存储数据，比如用在电脑和大型数据中心的SSD固态硬盘中。

　　相比于现有的技术，MeRAM的主要优势是它将高密度、高速读写以及不易失性与低能耗结合起来，它有点类似于硬盘和NAND，但MeRAM的速度更快。

　　磁性存储器主要基于STT（自旋转移矩）技术，STT利用电流移动电子将数据写入内存。虽然在很多方面STT比其它存储技术更有优势，但它基于电流的写入机制需要一定的电量，导致它在写入数据的时候会产生热量。而且它的存储能力还受到数据大小的限制。

　　UCLA的研究小组已经用电压取代STT电流将数据写入存储，利用电势差进行磁位的转换，将数据写入存储器，这消除了通过导线移动大量电子的必要，减少了热量的产生，能源效率可以提高10倍到1000倍，而且存储密度也可以提高4倍，由于相同的物理区域可以存储更多的信息，每比特的成本也降低很多。

　　这个研究小组的主要负责人是UCLA的Raytheon电子工程学教授Kang L.Wang，另外还有首席作者Juan G.Alzate和UCLA-DARPA项目的项目经理Pedram Khalili。

　　这个研究成果最初是在今年12月12日的IEEE国际电子元件会议上发表的。