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      三星宣布开始量产10纳米的128Gb TLC NAND闪存芯片。在去年11月时三星才开始生产10纳米的64Gb TLC NAND闪存芯片,而现在已经翻倍了。

      据Softpedia介绍,新的闪存芯片将会应用于128GB的存储卡,500GB或更高容量的SSD固态硬盘,PCI-E接口的SSD,还有其他方面。

      三星表示新芯片使用了Toggle DDR 2.0接口,传输速度可以达到400Mbps,而存储密度也是业界最高的。与20纳米的64Gb TLC闪存相比,10纳米的128Gb TLC闪存产品的生产力可以达到它的两倍。

      2010年,三星首次大量生产了20纳米的64Gb TLC闪存产品,随后搭载于去年推出的840系列SSD产品。

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    已有 10 条评论,每一条合规评论都是对我们的褒奖。
    • 游客 2013-04-18 16:45

      可靠性如何,寿命几年,没这些信息,不敢用。。

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      10#

    • 游客 2013-04-13 11:21

      赞!三星在闪存芯片上还是比较领先的。

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      9#

    • 游客 2013-04-12 08:41

      10nm为啥不做MLC

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      8#

    • 游客 2013-04-12 00:16

      128G 卖 ¥699,妥妥的

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      7#

    • 恶梦一片小学生 2013-04-11 23:33  加入黑名单

      换个硬盘多少钱不要紧,关键是里边的数据~

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      6#

    • 游客 2013-04-11 19:20

      死得快

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      5#

    • 游客 2013-04-11 19:12

      除了寿命,延迟也会变成巨大的问题

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      4#

    • 游客 2013-04-11 18:15

      10纳米 擦写次数剩多少? 需要1T来保证400G吧

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      3#

    • thesea管理员 2013-04-11 18:10  加入黑名单

      10nm下的TLC谁敢用啊,估计擦写次数只有200吧

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      2#

    • 游客 2013-04-11 17:59

      自从有了840,已经对tlc失去信心

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      1#

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