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      以东京电子、信越化工、瑞萨电子、日立以及美光科技在内的20多家日本以及美国企业已经组成MRAM技术研发联盟,联合开发MRAM技术,预计在明年2月份就会启动相关的技术研究项目。

      MRAM的全称是Magnetic Random Access Memory,即磁阻式随机存取存储器,这是一种非易失性存储器,速度与DRAM不相上下,但功耗更低、容量更大,被视为下一代高速存储器的理想之选,适合用于固态硬盘、智能手机、平板电脑等设备上。

      按照目前MRAM的发展进程,想要大规模投入使用MRAM,预计还得等到2018年,不过现在已经陆续有厂商推出MRAM产品,例如在本月中旬,美国Everspin技术公司就推出了ST-MRAM芯片,这种芯片存储速度是普通MLC芯片的500倍,已经达到了DRAM芯片的水平。

      Buffalo Memory也在日前推出了SS6系列固态硬盘,该系列固态硬盘就配置了Everspin的DDR3 ST-MRAM芯片作为固态硬盘高速缓存。这种高速缓存采用WBGA封装设计,单颗容量为64Mb(8MB),最高频率为1600MHz,最高带宽为3.2GB/s,纳秒级延迟,从性能来说已经不输给DRAM芯片,而且由于断电不丢失数据,因此产品无需为缓存电路配置大容量电容或者是高级掉电保护技术。

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    已有 3 条评论,共 3 人参与。
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    • 游客  2013-11-28 02:44

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      3#

    • 游客  2013-11-25 14:50

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 游客  2013-11-25 11:31

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      1#

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