三星今天在首尔召开“2014三星固态硬盘全球峰会”,在会上发布了新的850 Pro系列SSD,该系列SSD的最大特色就是使用了3D V-NAND闪存,三星对于闪存的使用还是相当大胆的,去年推出了首款使用TLC闪存的840系列,而现在的850 Pro则是首款采用3D V-NAND技术的SSD。
三星850 Pro并没有采用最新的M.2或者SATA-E接口,继续使用SATA 6Gbps接口,共有128、256、512和1TB四个容量,最大连续读写速度为550/520 MB/s,4K随机读写IOPS分别为100,000/90,000,采用三星第二代86Gbit 40nm MLC V-NAND,将与7月中旬正式上市,不同容量的具体性能请看下表:
表格来自Anandtech
现在已经有多个外国媒体对850 Pro进行了评测,我们现在翻译的这个是来自Hardware.info的,另外关于3D V-NAND我们之前有专门的文章对其进行了介绍,简单来说就是不通过传统的缩小cell单元来最求大容量,而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元来提升容量,有兴趣了解详情的朋友可以去看看这个《NAND新时代起点,三星V-NAND技术详解》。
三星850 Pro正面
三星850 Pro反面
128GB与256GB的850 Pro上面只有四颗闪存
512GB与1TB的850 Pro上面则有8颗闪存,PCB也长很多
三星850 Pro所用的主控与840 EVO一样是MEX,内置一颗三核ARM Cortex-R4处理器,主频400MHz,采用LPDDR2作为缓存,128GB的缓存是256MB,256GB与512GB的缓存容量是512MB,而1TB的缓存容量是1024MB。
三星在去年发布840 EVO时推出了RAPID技术,利用可用内存空间来充当SSD的读写缓存,这样就可以让SSD的读写能力得到大幅度提升,而现在的850 Pro则支持升级版的RAPID 2.0技术,支持更大的内存并且改进了缓存算法。
下一页开始是各种测试,先在这里说一下结论:在目前的消费级SATA 6Gbps的SSD中,850Pro可以说是性能最强的,连续性能与上代840Pro基本一样,随机性能则有明显的提升。
Iometer测试
连续读取测试
连续写入测试
4K QD1随机读取测试
4K QD1随机写入测试
4K QD32随机读取测试
4K QD32随机写入测试
ASSSD测试
连续读取
连续写入
4K随机读取
4K随机写入
PCMark测试
PCMark 7测试
PCMark 8测试
性能稳定性测试
三星850 Pro 256GB稳定性测试,纵轴是写入IOPS,横轴的时间,单位为秒
三星850 Pro 512GB稳定性测试,纵轴是写入IOPS,横轴的时间,单位为秒
三星850 Pro 1TB稳定性测试,纵轴是写入IOPS,横轴的时间,单位为秒
游客 2016-08-04 01:29
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游客 2016-08-03 22:24
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游客 2016-01-02 02:20
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游客 2016-01-02 00:30
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游客 2015-11-28 13:25
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游客 2015-11-10 16:54
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游客 2015-11-10 14:06
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游客 2015-11-10 11:12
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游客 2015-10-16 07:56
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游客 2015-09-04 02:11
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游客 2015-05-25 18:51
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游客 2015-01-29 13:30
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游客 2015-01-16 14:45
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游客 2014-09-03 15:23
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游客 2014-08-06 14:54
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游客 2014-07-08 14:12
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游客 2014-07-08 12:46
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游客 2014-07-08 11:04
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超能网友等待验证会员 2014-07-07 16:05 | 加入黑名单
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超能网友博士 2014-07-05 20:59 | 加入黑名单
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游客 2014-07-04 12:16
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游客 2014-07-03 10:03
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游客 2014-07-02 21:57
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游客 2014-07-02 10:11
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游客 2014-07-02 01:25
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游客 2014-07-01 18:45
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游客 2014-07-01 15:35
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超能网友教授 2014-07-01 14:53 | 加入黑名单
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游客 2014-07-01 13:49
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游客 2014-07-01 13:28
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