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    三星的V-NAND随着850 Pro的发布开始正式进入消费级市场,目前的V-NAND是第二代,最大32层堆叠,NAND基础还是40nm工艺的MLC闪存,刚刚测试得出的P/E次数达到了6000次,可靠性还不错。但是,以三星的鸟性,TLC闪存怎么可能放过V-NAND,三星有计划把TLC闪存也做成V-NAND那样的3D堆叠,或许不久之后我们就能见到850 Evo固态硬盘了。


    用不了多久,我们就可以看到TLC闪存的850 EVO取代840 EVO了

    在前不久三星的SSD全球会议上,Techreport得知三星有计划推出3bit V-NAND,只不过三星在透露消息方面一贯很小气,就是不肯说具体细节,不过TR表示在第二代V-NAND发布会上三星提到了今年底会推出容量密度更高的硬盘,或许指的就是这个TLC版的V-NAND闪存。具体命名也不确定,不过惯例可能会用850或者850 EVO这样的名字。

    虽然TLC名声不是很好,但是TLC闪存对提高容量密度、降低成本大有裨益,而性能、可靠性上的问题可以通过其他方式弥补,比如三星的840 EVO就使用了SLC缓存的方式改善了写入速度,所以只要技术成熟,NAND厂商们还是会上TLC闪存的,三星起了头,美光很快也会跟进。

    此外,V-NAND技术在某种程度上也能改善TLC闪存的缺点,立体多层堆叠的封装使得TLC闪存对制程的要求没有这么高了,还可以减少干扰,这也有助于改善写入性能。

    总之,不管某些用户是否接受TLC闪存,三星力推的态度是改不了的,特别是有了V-NAND技术的辅助之后,TLC闪存的一些缺点更有了明显改善,三星迟早会推TLC版的V-NAND闪存,快的话今年底就能见到850 EVO这样的产品了。

    可以预想,一旦TLC闪存的V-NAND硬盘上市,届时又免不了引起很多争议。TLC闪存理论上寿命会少很多,不过新技术的进度也不可阻挡,对TLC闪存唯一的质疑应该是:如果它的成本比MLC更低,为何市面上的TLC硬盘相对MLC硬盘并没有价格优势呢?三星解决了这个问题才更有利于TLC闪存为人广泛接受。


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