9.1.1 三星850Pro 256GB介绍
三星850Pro 256GB正面照片，与840
Pro还是很相似的
三星850Pro背面照片（送测样品背面并没有贴纸）
拆开三星850Pro 256GB，可以看到PCB相当的小
三星850Pro 256GB的PCB做得非常紧凑，4颗芯片占据了正面大部分空间
背面就两颗闪存和供电芯片
三星850
Pro所用的主控与840 EVO一样是MEX，内置一颗三核ARM Cortex-R4处理器，主频400MHz
256GB所配的缓存是512MB的LPDDR2，当然是三星自家产品
闪存采用三星第二代86Gbit 40nm MLC V-NAND，而且还用了两种不同容量的闪存混搭而成，正面的两颗型号是K9PRGY8S7M，背面两颗的型号是K9HQGY8S5M，前者容量 86GB，内部8CE，后者容量43GB，总容量258GB，造成这样原因是86Gbit这奇怪的Die Sice。
至于为什么Die Sice是这么奇特的86Gbit，那就得深入研究下芯片内部了，从chipwork上可以查询出K9HQGY8S5M闪存内部Die编号是K9ADGD8S0A，其中第三位的“A”代表的是3bit MLC，也就是我们所说的TLC，第四第五位的“DG”代表Die Sice是128Gbit，而86Gbit刚好是128Gbit的三分之二，到这里大家应该清楚三星的第二代40nm MLC V-NAND其实就是让TLC模拟成MLC来使用，让颗粒的性能与寿命接近与真正的MLC。
当然了用TLC来模拟MLC这并没有什么不好，只要闪存的性能和耐久性和MLC一样就完全没有问题，而根据Anandtech的测试，三星850 Pro使用的V-NAND闪存的P/E寿命就是6000次，相比目前的2D闪存3000次的P/E寿命来说提升了一倍。
我匿名了 2017-02-08 23:24
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游客 2016-03-26 02:53
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游客 2016-03-08 19:45
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游客 2016-03-08 12:15
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游客 2016-03-04 17:45
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游客 2015-08-22 07:20
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超能网友博士 2015-04-30 19:00 | 加入黑名单
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超能网友一代宗师 2015-01-31 10:03 | 加入黑名单
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游客 2015-01-16 15:35
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游客 2015-01-07 13:23
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游客 2014-12-24 17:04
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游客 2014-12-24 17:01
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游客 2014-12-21 06:49
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超能网友初中生 2014-12-19 13:40 | 加入黑名单
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游客 2014-12-16 23:01
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游客 2014-11-29 15:00
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超能网友高中生 2014-11-26 16:59 | 加入黑名单
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游客 2014-11-20 00:16
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游客 2014-11-17 20:12
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游客 2014-11-16 21:30
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游客 2014-11-16 16:39
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游客 2014-11-16 11:29
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游客 2014-11-16 00:48
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超能网友大学生 2014-11-15 23:25 | 加入黑名单
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游客 2014-11-14 20:55
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游客 2014-11-14 18:54
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超能网友大学生 2014-11-14 09:41 | 加入黑名单
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游客 2014-11-11 23:01
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游客 2014-11-11 22:57
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游客 2014-11-11 10:45
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