硬盘:HDD专注容量提升,SSD新闪存待发
HDD:8TB、10TB接踵而至,25TB也不是个事儿
HDD机械硬盘年年被调侃为落后于时代,但HDD的地位依然不可替代,在7200RPM转速没得改变之外,HDD硬盘依然在持续提升容量,去年问世的6TB硬盘现在已经不是新鲜玩意儿,今年HDD硬盘连续突破8TB及10TB,但这还不是极限,10年后HDD容量还会提升10倍达到100TB。
HDD硬盘容量提升主要依赖单碟容量的技术改进,目前主流的单碟容量是1TB,使用的是PMR垂直磁记录技术,希捷、HGST的8TB硬盘依赖的是SMR叠瓦式磁记录技术,单碟容量提升到了1.33TB,目前的8TB硬盘使用的是六碟装。
HGST公司已经推出了10TB硬盘
HGST今年发布了10TB硬盘,但量产要等到明年Q1季度,同样使用了SMR叠瓦式磁记录技术。
SMR技术再往后,提升硬盘容量就要依靠HAMR热辅助磁记录技术了,之后再有BPMR、HDMR等技术,存储密度会从目前的1Tb/in2提升到10Tb/in2,最终实现100TB的超级硬盘。
SSD:SATA 6Gbps渐成瓶颈,3D/TLC闪存蓄势待发
相比HDD硬盘在容量上的突飞猛进,SSD固态硬盘今年在性能及容量方面的提升并不明显,SATA 6Gbps接口已经成为SSD性能提升的瓶颈,市场需要速度更快的M.2及SATA Express接口。
在至关重要的NAND闪存方面,今年的主流工艺还是20nm,但16/15nm工艺的NAND闪存已经出现,美光MX100硬盘的256/512GB型号已经开始使用16nm MLC闪存,东芝/闪迪今年也量产了15nm 128Gbit的NAND闪存,相关产品也会在明年初大量上市。
为了进一步提升SSD容量,TLC闪存今年也频繁抛头露面,先行者三星的840/840 Evo硬盘就不多说了,闪迪发布的Ultra 2硬盘也使用了19nm TLC闪存。当然,让公众对TLC闪存更“熟悉”的事件还是苹果iPhone 6/6 Plus手机的TLC闪存门。为了检测自己的手机到底使用了MLC还是TLC闪存,iPhone用户也是费尽心机了。
iPhone 6/6 Plus今年使用的TLC闪存也让用户恐慌不已
先进的制程工艺有助于提升NAND闪存的容量,但随之而来的性能、可靠性问题也让人担心,所以NAND厂商现在已经不再单纯地比拼工艺,开始向3D闪存进发,通过3D堆栈工艺来实现容量及可靠性的提升。三星的850 Pro硬盘是首个使用量产型3D闪存工艺的产品,最近发布的850 Evo虽然是TLC闪存的,但也使用了3D V-NAND工艺,数据写入量相比以往的产品成倍提升。
三星在3D闪存上进度最快,美光、Intel合资的IMFT及东芝/闪迪系也在准备3D工艺,其中IMFT的3D闪存非常强悍,die核心容量从目前的128Gbit提升到256Gbit,堆叠层数也达到了三星V-NAND技术同级别的32层,这样算起来就是1TB的容量了,如果是TLC闪存,那么容量还会继续提升50%。
Intel的3D闪存技术容量提升一倍
Intel表示他们的3D闪存可以在2mm厚度下实现1TB的容量,未来两年实现10TB+的SSD也不是问题,至少技术上不是问题了。
超能网友管理员 2015-05-28 02:15 | 加入黑名单
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游客 2014-12-16 17:33
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游客 2014-12-16 14:11
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游客 2014-12-16 13:01
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游客 2014-12-16 12:44
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游客 2014-12-16 12:02
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游客 2014-12-16 12:01
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游客 2014-12-16 12:00
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游客 2014-12-16 11:48
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游客 2014-12-16 11:34
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超能网友研究生 2014-12-16 11:20 | 加入黑名单
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游客 2014-12-16 10:43
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游客 2014-12-16 10:32
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游客 2014-12-16 10:27
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超能网友教授 2014-12-16 09:19 | 加入黑名单
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游客 2014-12-16 09:11
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游客 2014-12-16 09:09
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游客 2014-12-16 09:07
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游客 2014-12-16 09:05
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游客 2014-12-16 08:56
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游客 2014-12-16 08:41
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游客 2014-12-16 08:35
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超能网友高中生 2014-12-16 07:53 | 加入黑名单
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游客 2014-12-16 05:07
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我匿名了 2014-12-16 00:23
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游客 2014-12-15 23:55
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游客 2014-12-15 23:28
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超能网友教授 2014-12-15 23:09 | 加入黑名单
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超能网友大学生 2014-12-15 22:57 | 加入黑名单
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游客 2014-12-15 21:29
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