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    三星在立体堆栈3D V-NAND闪存的研发与生产商一直处于领先位置,其第一代24层堆栈以及第二代32层堆栈的3D V-NAND已经应用在多款产品上,例如三星850 EVO固态硬盘等。而日前三星又再宣布,3D V-NAND将步入第三代,采用48层堆栈设计的3D V-NAND闪存开始进入量产阶段。

    据三星表示,第三代3D V-NAND采用48层堆栈技术打造,属于3bit MLC产品,单核心容量可达256Gb即32GB。与上一代的单核心128Gb容量的产品相比,第三代3D V-NAND不仅容量翻倍,功耗也有30%下降,而且还可以在现有生产线的基础上进行生产,生产效率提升40%。

    第三代3D V-NAND共计包含853亿个存储单元,每个单元可以存储3bit数据,通过48层堆栈和18个数据通道孔打造而成,是三星接下来新一代3D V-NAND产品的主力。在2015年接下来的时间中,三星将逐步调整生产线,全力量产第三代3D V-NAND产品,力求把固态硬盘的容量相TB级推进。

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    • 游客  2015-08-12 01:47

      游客

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
      2015-08-11 15:08
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      12#

    • 游客  2015-08-11 15:08

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      10#

    • 游客  2015-08-11 15:04

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      9#

    • 游客  2015-08-11 14:48

      超能网友 等待验证会员

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
      2015-08-11 12:25
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      8#

    • 我匿名了  2015-08-11 14:00

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      7#

    • 超能网友等待验证会员 2015-08-11 12:25    |  加入黑名单

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    • 超能网友终极杀人王 2015-08-11 12:17    |  加入黑名单

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    • 超能网友教授 2015-08-11 11:46    |  加入黑名单

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      4#

    • 超能网友研究生 2015-08-11 11:22    |  加入黑名单

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      3#

    • 游客  2015-08-11 11:21

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 游客  2015-08-11 11:06

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      1#

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