三星在立体堆栈3D V-NAND闪存的研发与生产商一直处于领先位置,其第一代24层堆栈以及第二代32层堆栈的3D V-NAND已经应用在多款产品上,例如三星850 EVO固态硬盘等。而日前三星又再宣布,3D V-NAND将步入第三代,采用48层堆栈设计的3D V-NAND闪存开始进入量产阶段。
据三星表示,第三代3D V-NAND采用48层堆栈技术打造,属于3bit MLC产品,单核心容量可达256Gb即32GB。与上一代的单核心128Gb容量的产品相比,第三代3D V-NAND不仅容量翻倍,功耗也有30%下降,而且还可以在现有生产线的基础上进行生产,生产效率提升40%。
第三代3D V-NAND共计包含853亿个存储单元,每个单元可以存储3bit数据,通过48层堆栈和18个数据通道孔打造而成,是三星接下来新一代3D V-NAND产品的主力。在2015年接下来的时间中,三星将逐步调整生产线,全力量产第三代3D V-NAND产品,力求把固态硬盘的容量相TB级推进。
游客 2015-08-12 01:47
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游客 2015-08-11 15:08
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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游客 2015-08-11 15:04
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游客 2015-08-11 14:48
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我匿名了 2015-08-11 14:00
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超能网友等待验证会员 2015-08-11 12:25 | 加入黑名单
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超能网友终极杀人王 2015-08-11 12:17 | 加入黑名单
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超能网友教授 2015-08-11 11:46 | 加入黑名单
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超能网友研究生 2015-08-11 11:22 | 加入黑名单
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游客 2015-08-11 11:21
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游客 2015-08-11 11:06
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