在全球储存芯片市场上，韩国厂商的实力雄厚，不论工艺先进程度还是产能都领先日系、美系及台系厂商。SK Hynix日前在财报会议上宣布他们已经开始量产20nm工艺的DRAM内存芯片，今年还会量产36层堆栈的3D闪存，明年规模量产48层堆栈的闪存，不过三星始终是SK Hynix挥之不去的阴影，因为有三星在，他们几乎只能做到第二。

作为全球内存及闪存芯片中的一哥，三星早在2014年3月份就量产20nm内存芯片了，其3D闪存芯片更是发展了三代了，今年8月份开始量产48层堆栈的V-NAND闪存了，单核心容量可达256Gb即32GB。与上一代的单核心128Gb容量的产品相比，第三代3D V-NAND不仅容量翻倍，功耗也有30%下降，而且还可以在现有生产线的基础上进行生产，生产效率提升40%。

有这样逆天般的大哥存在，SK Hynix只能抢到第二把交椅了，好在这个结果也不算坏，毕竟除了三星之外其他公司的进度比SK Hynix更慢。

来自Businesskorea网站的报道，现在SK Hynix公司也能量产20nm工艺的DRAM内存芯片了，该公司已经在本月中旬的财报会议上证实了此事，他们还承认在20nm工艺量产上遇到了困难，但现在已经克服了，之前已经给客户出样了，现在正在量产20nm内存芯片。

至于3D闪存，SK Hynix高管表示他们今年会少量生产36层堆栈的闪存，但是该公司并不打算大规模量产，他们要在明年直接上48层堆栈的3D闪存。