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在以往的研究中，IBM，东芝等研究室的MRAM（magnetoresistive random access memory，磁阻RAM）试验品的高性能都让我们看到了内存的未来，不过来自德国的研究人员日前则展示了他们的新技术，看上去速度比以往的MRAM更快。
一般的RAM使用电容来代表1和0，而MRAM则使用了磁体的南北极来表示。相对于一般的RAM来说，MRAM有着速度快，耗电量小等特点。
IBM使用了电子的自旋特性来调整磁体的极性，这种方法被称为自旋转矩系统，而德国最近的研究成果则使得这种自旋转矩系统更小，更快更省电，整个系统只有165纳米高。虽然如此，但由于某些技术上还有缺陷，所以目前基于这种新式自旋转矩系统的MRAM还没有办法能够制造出来。不过，业界各企业都认为，MRAM将会成为下一代内存的主要技术，能够再次提高电脑内存的速度。