三星上周发布了Q3季度财报，移动部门因为Note 7召回事件损失了15%的营业额，运营利润则直线下滑96%,但受益于存储芯片的涨价，三星半导体业务部门营收表现不错，弥补了部分亏损。考虑到NAND闪存、DRAM内存涨价的势头还要持续一段时间，三星也加快了内存升级步伐，今年初率先量产了18nm DRAM，明年则会推出15-16nm工艺的DRAM，继续领先对手一代。

三星年初才量产了18nm DRAM，明年又要推出15nm工艺了

DRAM内存芯片的工艺“代”数跟我们常见的22nm、14nm、10nm处理器工艺不同，25nm工艺之后是20nm，有的厂商则是21nm，再往下就是18nm，不过目前只有三星量产了18nm工艺，SK Hynix及美光目前还挣扎在20nm节点，18nm工艺要等到明年。

内存芯片的工艺路线图

三星今年初率先量产了18nm工艺，但是明年就要推出新一代工艺了。韩国Business Korea网站援引业界消息称三星明年下半年将量产15-16nm工艺的DRAM内存。从这一点上来看，三星去年宣布的2020年前实现10nm级内存工艺的进度可能会提前，2019年就有可能了。

除了继续领先新工艺，三星的18nm工艺产能也会扩大，到了明年下半年，18nm内存将占到30-40%的产能——那个时候，SK Hynix和美光的18nm大概才会量产吧。

在DRAM内存领先，虽然目前只剩下了三星、SK Hynix和美光三家厂商，但三星一家独大的情况并没有改变，甚至还可能会继续领先。iHS统计的数据显示三星在内存市场上的份额高达46.6%，不仅产能大，而且技术领先，在20nm、18nm上已经甩开对手一年到一年半时间。