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    TSMC、三星不仅要争抢10nm工艺,再下一代的7nm工艺更为重要,因为10nm节点被认为是低功耗型过渡工艺,7nm才是真正的高性能工艺,意义更重大。现在ARM宣布已将Artisan物理IP内核授权给赛灵思(Xilinx)公司,制造工艺则是TSMC公司的7nm。该芯片明年初流片,不过2018年才会正式上市。

    赛灵思是重要的FPGA芯片公司,也是TSMC公司的大客户之一,TSMC的新工艺大多是FPGA芯片首发,这次合作也不例外。ARM授权赛灵思公司在TSMC公司的7nm工艺上使用自家的Artisan物理IP内核,后者是ARM开发的PGA(Power Grid Architect),可以优化集成电路的电源栅极,号称减少10%的芯片面积,提升20%的面积利用率。


    ARM、赛灵思首发TSMC的7nm工艺

    根据ARM、赛灵思的信息,该物理IP预计在明年初流片,2017年出样给客户,不过正式上市要等到2018年。这个时间点跟TSMC宣布的7nm量产时间差不多,该公司之前多次强调会在2018年量产7nm工艺。


    TSMC的7nm工艺优势

    那么7nm工艺到底能带来多大的提升?恰好TSMC这两天公布了部分7nm工艺细节,他们已经使用7nm工艺试产了256MB SRAM电路,cell单元面积只有0.027mm2,读写电压0.5V,与16nm工艺相比速度可以提升40%,或者功耗降低65%。

    不过TSMC这个对比中还隔了一个10nm,他们之前也公布过与10nm工艺的对比,7nm工艺下晶体管速度提升20%,或者能耗降低40%。

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    已有 5 条评论,共 12 人参与。
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    • 游客  2016-12-09 21:54

      超能网友 一代宗师

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
      2016-12-09 16:27
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    • 该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      5#

    • 超能网友一代宗师 2016-12-09 16:27    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      4#

    • 超能网友终极杀人王 2016-12-09 10:21    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      3#

    • 游客  2016-12-09 09:26

      游客

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
      2016-12-09 05:15 已有3次举报
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    • 该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 游客  2016-12-09 05:15

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      1#

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