E X P
正努力加载中…
  • 编辑
  • 评论
  • 标题
  • 链接
  • 查错
  • 图文
  • 拼 命 加 载 中 ...

    三星、TSMC在14/16nm、10nm节点追赶上了Intel,在10nm、7nm节点甚至还会反超老大哥,这让保持多年技术领先的Intel有些不爽,因为TSMC、三星在半导体工艺命名上玩了一点小花招,昨天Intel院士借着给半导体工艺划分正名的机会委婉地对友商提出批评。不过在这个问题上,这几家公司打口水仗是没意义的,Intel还要拿出更多证据让大家看到他们在半导体工艺上继续保持领先,现在Intel公司就正式公布了一些工艺详情,被人吐槽的14nm工艺其实一直在不断改进,其中14nm++改进版工艺性能要比初代10nm工艺要好,此外Intel还推出了22nm LP FinFET低功耗工艺跟FD-SOI工艺竞争。

    14nm战四代?看Intel花式吊打TSMC、三星

    Intel是在14nm节点失去领先地位的,三星、TSMC各自推出了14nm FinFET、16nm FinFET工艺,很快他们就会推进下一代工艺,但Intel的14nm工艺却不会这么急退出市场,目前已经衍生过了Broadwell、Skylake、Kaby Lake三代处理器了,今年下半年还有8代Core处理器,算起来这是要战四代处理器了,可能在2018年都不会被10nm取代,因为Intel的14nm有点厉害,在官方PPT中简直花式吊打友商的14nm、16nm工艺。

    我们知道Intel是做高性能处理器的,他们每一代工艺升级都很重要,14nm FinFET是他们第二代FinFET高性能工艺,而TSMC、三星在16、14nm节点才开始应用FinFET工艺,而且他们所谓的14/16nm制程很大程度上都是继承自低功耗20nm节点,跟Intel升级14nm节点不可同日而语,Intel表示其14nm工艺密度是其他厂商20/16/14nm工艺的1.3倍之多。


    Intel宣称其14nm工艺密度比友商工艺高20%


    不服气?那Inel上数据了

    其他厂商不服气就拉出来比一比,Intel对比了未列出名字的TSMC 20nm、16nm及三星14nm工艺具体参数,包括我们之前强调过的栅极距(gate pitch)、鳍片间距(fin pitch)、金属栅距(metal pitch)及逻辑芯片高度,反正各方面指标都是大幅领先友商三种工艺。

    Intel昨天提出的衡量半导体工艺真正需要的是晶体管密度,那么在这一点上Intel 14nm工艺达到了37.5MTr/mm2(每平方毫米百万晶体管),20、16及14nm工艺分别是28、29、30.5MTr/mm2(单看晶体管密度的话,TSMC和三星的FinFET工艺跟前代20nm工艺确实没多大提升),Intel确实是其他工艺的1.3倍左右。

    后面的内容中,Intel继续活力十足,嘲讽全开,把友商的10nm都给比下去了。


    Intel的14nm工艺晶体管密度相当于友商的10nm,但量产时间领先3年

    虽然Intel的14nm工艺问世已经两年多了,全程支持要支撑3年,2018年恐怕都不会落伍,处理器至少要有4代产品。虽然这也被玩家们调侃为挤牙膏,不过公平地说,Intel的14nm工艺也不是一成不变的,这几年一直在改进,Broadwell是第一代,Skylake是14nm+改进工艺,今年的Kbay Lake上使用的是第三种改进版14nm++工艺。(更新:Broadwell/Skylake都是第一代14nm工艺,Kaby Lake是14nm+,14nm++工艺还没量产)


    14nm工艺一直在改进,在不提升功耗的情况不断提升性能

    Intel技术人员在演讲中提到他们的14nm++工艺性能其实比第一代10nm工艺还要高,这大概也能解释为什么10nm工艺起先只会用于移动版处理器,2018年的高性能处理器还会使用14nm工艺。不过也别着急,10nm工艺虽然不是高性能方向的,但晶体管密度、功耗等指标上依然比14nm工艺更好,而且也会继续改良中,后面我们再说。


    !4nm++工艺比初代14nm工艺性能提升26%,或者功耗降低52%


    14nm工艺的核心面积也在不断缩小

    10nm工艺:Intel家晶体管密度是友商的2倍

    尽管14nm工艺在高性能处理器上还会继续存在,但Intel也不会放慢10nm工艺脚步,毕竟这是大势所趋,迟早还是会取代14nm工艺的。这次的技术大会上,Intel就公布了相当多的10nm工艺细节,包括栅极距、鳍片间距等指标。


    10nm工艺晶体管会继续缩小

    前面也说了10nm工艺的优势是晶体管更小,密度更高,Intel官方给出的数据是晶体管密度提升2.7倍。


    10nm晶体管密度可达100MTr/mm2,14nm节点是37.5MTr/mm2


    10nm工艺使用的是第三代FinFET工艺,22nm、14nm分别是第一代、第二代


    栅极距缩小趋势

    Intel公布了10nm工艺的栅极距指标——54nm,对比前面提过的Intel 14nm、TSMC 20nm、16nm及三星14nm的栅极距70、90、90、78nm来说小了很多,Intel宣称这是业界最紧凑的栅极距。


    金属间距是36nm,也是业界水平最低的


    晶体管密度达到了友商的2倍


    10nm工艺的核心面积也会继续缩小

    跟14nm节点一样,Intel的10nm节点也会继续优化改良,后续还会推出10nm+、10nm++工艺,性能还会继续提升,功耗进一步降低。

    具体来说,10nm++工艺的性能比10nm提升15%,功耗将降至0.7倍,每瓦性能比进一步提升。

    22FFL工艺:对战FD-SOI的低功耗工艺

    除了14nm及10nm工艺之外,Intel这次还宣布了一种新的制造工艺——22nm FinFET Low Power工艺,简称22FFL工艺,看名字就知道是针对低功耗产品开发的,是在22nm FinFET基础上优化改进而来的,其主要目标是跟GF公司的22nm FD-SOI工艺竞争物联网等低功耗芯片的。


    22FFL工艺与22nm、14nm工艺的对比


    22FFL工艺具备FinFET工艺的高性能和低漏电流优势


    22FFL可提供与14nm++工艺相似的高性能晶体管


    22FFL拥有业界最低的漏电流


    在高性能的同时也可以同时具备低漏电流两种优点


    22FFL工艺的生态合作伙伴

    Intel的22FFL工艺显然不是给自己家X86处理器准备的,主要是代工用的,竞争目标就是GF公司推出的22nm FD-SOI工艺,同样是针对低功耗的IoT物联网等市场,后者可实在低至0.4V的运行电压,非常节能,不过现在Intel要来抢食市场了。很多精彩一手小道消息,尽在小超哥(weixin9501417)朋友圈~

    ×
    热门文章
    1GeForce RTX 3070显卡天梯榜首发评测:上代旗舰被挑落马下
    2买不到1999元的5G旗舰机,那Redmi让你买2299元的K30S至尊纪念版
    3微星正式发布MEG B550 UNIFY 系列主板:颜值高无RGB
    4[视频] 目前最值得入手的RTX 30系显卡!RTX 3070 Founders Edition评测
    5AMD将以350亿美元收购赛灵思:将大力发展FPGA、AI、以及深度学习
    6技嘉发布AMD 500系列主板的最新BIOS:只等Zen3处理器上市
    7想体验《P.T》般的恐怖?恐怖游戏《Visage》即将发布Steam正式版
    8AMD公布2020年第三季度财报,净收入同比暴增225%
    9ID-COOLING SE-70风冷散热器评测:双塔高性价比之选
    已有 28 条评论,每一条合规评论都是对我们的褒奖。
    • 这些评论亮了
    • 游客 2017-03-30 15:05

      中国人不喜欢诚实讲真话,不懂技术喜欢讲忽悠的骗子。

      intel叫什么14nm,直接叫11nm就完了。还让中国人骂。

      支持(58)  |   反对(11)  |   举报  |   回复

      23#

    • 游客 2017-03-30 09:26

      说晶体管密度?
      broadewell-e 230平方 34亿晶体管
      ryzen 195平方 48亿晶体管
      密度??

      已有2次举报

      支持(35)  |   反对(1)  |   举报  |   回复

      11#

    • 游客 2017-03-31 14:43

      游客

      对,绝大多数中国人遇到诚实、实话实说、讨论理论的技术人员就打心眼里觉得人家是是骗子。
      相反,遇到那些嘴巴上甜言蜜语实际上一肚子坏水就想要骗你的钱的营销人员反而觉得亲切,各种信任。、

      唉,毕竟……
      2017-03-31 14:37
    • 支持(15)  |   反对(0)  |   举报  |   回复
    • 毕竟自己就是一坏种,肚子里一肚子的坏水,所以物以类聚,是这个理吗?

      已有2次举报

      支持(18)  |   反对(12)  |   举报  |   回复

      28#

    • 游客 2017-03-31 14:37

      游客

      中国人不喜欢诚实讲真话,不懂技术喜欢讲忽悠的骗子。

      intel叫什么14nm,直接叫11nm就完了。还让中国人骂。
      2017-03-30 15:05
    • 支持(58)  |   反对(11)  |   举报  |   回复
    • 对,绝大多数中国人遇到诚实、实话实说、讨论理论的技术人员就打心眼里觉得人家是是骗子。
      相反,遇到那些嘴巴上甜言蜜语实际上一肚子坏水就想要骗你的钱的营销人员反而觉得亲切,各种信任。、

      唉,毕竟……

      支持(15)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      27#

    • 游客 2017-03-31 13:07

      台积电三星明年齐上7nm,刚好超过英特尔10nm一点点,所以英特尔现在不公关一下是不行啦

      已有2次举报

      支持(7)  |   反对(7)  |   举报  |   回复

      26#

    • 游客 2017-03-31 01:16

      半导体工艺还是Intel领先这个没得说的

      支持(1)  |   反对(1)  |   举报  |   回复

      25#

    • 游客 2017-03-30 20:23

      I家也做PPT了? 看来是真被逼急了啊

      已有2次举报

      支持(1)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      24#

    • Norge博士 2017-03-30 13:09  加入黑名单

      bolvar 终极杀人王

      准确来说,Intel提出的那个计算晶体管密度的公式并不是晶体管数量/核心面积这么简单直接,而是计算NAND和SFF单元密度然后加权算出,至于这么算到底是为什么,这个恐怕得是科研人员来解释了,发布这个公式的是Intel院士。

      Intel的14nm已经发展三代了,Broadwell架构那个是第一代,本来想用skylake和kaby lake的数据来算下14nm+、14nm++工艺的密度的,可惜Intel从6700k开始就没公布过具体的核心面积、晶体管数量等指标了,大概也是觉得密度变化不大?所以这锅还是Intel自己背吧。

      Ryzen在GF工艺依然不如Intel的情况下取得如此成绩,确实很不容易了,但是14nm LPP工艺综合来说确实比不过Intel 14nm工艺,三星工艺之前一直是做低功耗移动处理器的,未来GF能不能超越就看7nm工艺了,这个节点才是关键。

      最最后,那些动不动就怀疑黑或者洗地什么的人有没有脑子?这个新闻就是Intel这两天举行半导体技术与制造会议上公布的内容,你们能不能有点智商,整天阴谋论累不累?
      2017-03-30 12:31
    • 支持(10)  |   反对(0)  |   举报  |   回复
    • bolvar,“Intel的14nm工艺晶体管密度相当于友商的10nm,但量产时间领先3年” h t t p : / / i m g .e x p r e v i e w .c o m / n e w s / 2 0 1 7 / 0 3 / 3 0 / I n t e l _ T e c h _ M a n u _ 0 3 .j p g 这有点吹水了。Intel当我们都是 z z 啦,看不懂图表?明显友商10nm工艺晶体管密度,比Intel 14nm的强多了!
      另外,Intel 10nm工艺实际上是9.5nm,TSMC和GF 7nm工艺实际是8.2nm;GF最迟2019年量产7nm EUV工艺,而那时Intel还是10nm+工艺,届时AMD Zen 3形成对Intel全面碾压。
      PS:Intel在专业知识PPT制作方面,堪称业界良心:图文并茂,深入浅出,通俗易懂。AMD应该多多向Intel请教。

      已有2次举报

      支持(7)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      22#

    • 游客 2017-03-30 12:54

      大家可以百度一下Mark Bohr,第一篇文章里2014年intel的ppt是2017年实现7nm。结果今年还在吹14nm++。真鸡儿丢人

      已有1次举报

      支持(3)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      21#

    • bolvar终极杀人王 2017-03-30 12:31  加入黑名单

      游客

      这几天牙膏厂软文到处爆发还有水军洗地 牙膏厂一直擅长玩这个
      2017-03-30 10:48 已有1次举报
    • 支持(10)  |   反对(2)  |   举报  |   回复
    • 准确来说,Intel提出的那个计算晶体管密度的公式并不是晶体管数量/核心面积这么简单直接,而是计算NAND和SFF单元密度然后加权算出,至于这么算到底是为什么,这个恐怕得是科研人员来解释了,发布这个公式的是Intel院士。

      Intel的14nm已经发展三代了,Broadwell架构那个是第一代,本来想用skylake和kaby lake的数据来算下14nm+、14nm++工艺的密度的,可惜Intel从6700k开始就没公布过具体的核心面积、晶体管数量等指标了,大概也是觉得密度变化不大?所以这锅还是Intel自己背吧。

      Ryzen在GF工艺依然不如Intel的情况下取得如此成绩,确实很不容易了,但是14nm LPP工艺综合来说确实比不过Intel 14nm工艺,三星工艺之前一直是做低功耗移动处理器的,未来GF能不能超越就看7nm工艺了,这个节点才是关键。

      最最后,那些动不动就怀疑黑或者洗地什么的人有没有脑子?这个新闻就是Intel这两天举行半导体技术与制造会议上公布的内容,你们能不能有点智商,整天阴谋论累不累?

      支持(10)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      20#

    • 游客 2017-03-30 12:27

      游客

      说晶体管密度?
      broadewell-e 230平方 34亿晶体管
      ryzen 195平方 48亿晶体管
      密度??
      2017-03-30 09:26 已有2次举报
    • 支持(35)  |   反对(1)  |   举报  |   回复
    • 10核心4通道記憶體40條pcie,34億
      8核心2通道記憶體24條pcie,48億
      請問AMD都把晶體管浪費到那去了?還是根本灌水?

      支持(0)  |   反对(6)  |   举报  |   回复

      19#

    • 游客 2017-03-30 12:26

      游客

      说晶体管密度?
      broadewell-e 230平方 34亿晶体管
      ryzen 195平方 48亿晶体管
      密度??
      2017-03-30 09:26 已有2次举报
    • 支持(35)  |   反对(1)  |   举报  |   回复
    • 超能网也有那么傻的用户啊,工艺的密度和实际产品的密度并不是一样的。
      本身架构(各种不同的Cell密度不同)就不一样,再加上Ryzen用的高密度库,Broadwell-E 用的高性能库有问题?

      用来衡量密度的是同样去制造容量一样的SRAM,Apple还用了密度更小的16FF+造了30亿多晶体管,但是面积只有100多一点的A10呢,怎么不拿来和Ryzen比? 或者你去比较下显卡啊。。

      摩尔定律本来就失效了,你要高性能本来就要用面积去换

      支持(7)  |   反对(9)  |   举报  |   回复

      18#

    • Rio一代宗师 2017-03-30 11:51  加入黑名单

      当intel沦落到和AMD比PPT的话,也是够丢脸的

      已有1次举报

      支持(1)  |   反对(1)  |   举报  |   回复

      17#

    • 游客 2017-03-30 11:42

      牙膏是在处理器上性能进步的牙膏 工艺制程上英特尔还是第一的 可惜不会给锐龙代工

      支持(0)  |   反对(1)  |   举报  |   回复

      16#

    • 游客 2017-03-30 11:41

      台积电16nm:FinFET、16FF+和16FFC、"12nm"
      丧星14nm:LPE\LPP\LPC\LPU
      百度一下,英特尔好像要代工ARM芯片?

      支持(3)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      15#

    • 游客 2017-03-30 10:48

      游客

      说晶体管密度?
      broadewell-e 230平方 34亿晶体管
      ryzen 195平方 48亿晶体管
      密度??
      2017-03-30 09:26 已有2次举报
    • 支持(35)  |   反对(1)  |   举报  |   回复
    • 这几天牙膏厂软文到处爆发还有水军洗地 牙膏厂一直擅长玩这个

      已有1次举报

      支持(10)  |   反对(2)  |   举报  |   回复

      14#

    • 游客 2017-03-30 09:55

      照这个样子,10nm工艺的低压版处理器是否会有4C/8T的呢?

      支持(0)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      13#

    • 游客 2017-03-30 09:27

      讲道理,本来以为差半代没想到差了一代。那ryzen能打得难舍难分真的了不起。

      支持(14)  |   反对(1)  |   举报  |   回复

      12#

    • 游客 2017-03-30 09:20

      intel:来来来,AMD,你RYZEN二代拿过来我给你代工吧,保准比外面那些妖艳的jian货好(主频高)。

      支持(0)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      10#

    • 既视感先生博士 2017-03-30 09:17  加入黑名单

      昨天还有人说我帮intel洗地,今天这文章出来分分钟打脸!

      已有1次举报

      支持(0)  |   反对(2)  |   举报  |   回复

      9#

    • hstjm2008教授 2017-03-30 09:16  加入黑名单

      游客

      小编通宵了吗
      2017-03-30 04:58
    • 支持(0)  |   反对(0)  |   举报  |   回复
    • 定时发送的 显得很勤奋

      支持(0)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      8#

    • 游客 2017-03-30 09:13

      INTEL:一个个都不消停,是时候正面肛一波。。。。。。。。。。。。。。。

      支持(0)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      7#

    • 游客 2017-03-30 08:37

      PPT有进步。。。

      支持(0)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      6#

    • 游客 2017-03-30 07:55

      三重门——路/粉/黑

      支持(0)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      5#

    • 游客 2017-03-30 07:14

      就希望intel 不要再搞这些一点意思都没有的宣传了,搞完之前的i3,现在搞制程。为什么就不肯把心踏踏实实放在cpu上呢? 自己有实力,也不用花这么多钱去搞这些一点意思都没有的宣传了吧

      支持(4)  |   反对(1)  |   举报  |   回复

      4#

    • 游客 2017-03-30 06:25

      onelite 教授

      制程这种基础,希望多一点实诚,少一点三星之流的营销噱头。
      2017-03-30 04:36
    • 支持(0)  |   反对(1)  |   举报  |   回复
    • 这你就该去喷牙膏厂了,这个宣传歪风恰恰就是牙膏厂在0910年时开始带起的。这次还是牙膏厂最近六七年来破天荒第一次公布这么多数据,看来牙膏厂是真的慌了。无论如何,给牙膏厂公布数据点个赞。

      支持(4)  |   反对(1)  |   举报  |   回复

      3#

    • 游客 2017-03-30 04:58

      小编通宵了吗

      支持(0)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      2#

    • onelite教授 2017-03-30 04:36  加入黑名单

      制程这种基础,希望多一点实诚,少一点三星之流的营销噱头。

      支持(0)  |   反对(1)  |   举报  |   回复

      1#

    我来评论
    为你推荐