全球性的NAND闪存缺货已经影响了部分智能手机公司，华为P10手机闪存门事件的根源说到底也是因为UFS闪存缺货导致的。往好的方面看，2017年下半年3D NAND闪存就会大量产出，Q4季度就能超过全球2D NAND闪存成为主流，不过坏的方面是全球NAND闪存供应依然吃紧。

Digitimes援引业界消息称NAND闪存正在从2D NAND向3D NAND转换，三星、美光、东芝都已经发布了64层堆栈的3D NAND闪存，SK Hynix则首发了72层堆栈的3D NAND闪存。原文表示今年下半年3D NAND闪存产能就会实质性增长，预计到Q4季度就能超过2D NAND闪存。

不过主要厂商的3D NAND闪存良率还不够稳定，此外厂商把产能转向3D NAND闪存也导致2D NAND闪存产能受影响，所以今年全球NAND闪存供应依然会吃紧，好在下半年的闪存短缺情况会有所缓解。

三星是目前3D NAND闪存良率最高的供应商，预计今年5月到6月份期间就会大幅提升3D NAND闪存产能。此前我们也报道过三星在韩国平泽市建设了全球最大的半导体工厂，主要就是生产3D NAND闪存的，预计7月份就能量产3D NAND闪存了。有关这座全球最大半导体工厂的情况可以关注小超哥（ID：18680462854），咨询他会有更详细的结果。

与此同时，预计其他厂商的3D NAND良率也会有实质性提升，2017年下半年出货量会明显增加，比如说美光，今年下半年就会量产64层堆栈的3D NAND闪存。