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    随着闸极越做越小,制程线宽不断升级,由10年前的90nm,65nm一直升级到现在的14/16nm,10nm甚至7nm,摩尔定律都在有条不紊着指挥半导体行业前进的路线。但是随着源极和汲极之间的距离越来越短,半导体工艺的极限逐渐显露出来。大多数人都发现了,升级到10nm和7nm所遇到的困难不是捂个被子睡个觉醒来就能解决的,因为除了技术原因还有诸多逐渐浮现出来的不可控因素。

    在使用EUV后,线宽的微缩,制程的升级对于缺陷和微粒污染的容忍度将大幅度降低。制造工具是决定圆晶良品率的关键,工具在沉积,蚀刻或清洁过程中有可能受到微粒物污染,这些颗粒物会从上一个生产步骤流入到下一个生产步骤,工艺不一致使得圆晶的特征形状,覆盖层和CD(特征尺寸)有偏差,从而导致大范围缺陷。给定类型的工艺工具可能彼此不匹配,继而在通过不同工艺工具生产的圆晶之间产生差异,所有这些问题都会影响产量。

    上述的制造过程所造成的差异会成为一个很麻烦的问题,如何理解这个困境?比如有两台打字机,型号价格外观都一样,但因装配环境,零件精度等因素会导致手感有细微差别,因此即使是相同型号的EUV光刻机,有了正确的配置文件,强度恰好的光源,一致的稀有气体纯度,也需要做一些后期工作保证生产结果相同。换到10、7nm工艺制程的半导体产品上,只要在生产时有个1、2nm的差错,都有可能造成不可估量的损失。

    制程的每一次升级,制造难度都是呈指数级上升,现在我们听到的工艺名词最多也只能去到3nm,这是因为到了3nm节点上EUV光刻的随机性将增大,很难控制好EUV线宽边缘粗糙度(LER),影响CD和EPE。同时摩尔定律也会在这个节点附近失效,接下来就是1nm以下的次纳米新技术和新材料的天下。

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    • 游客  2017-11-21 13:24

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      17#

    • 游客  2017-11-21 11:52

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      16#

    • 游客  2017-11-19 16:01

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      15#

    • 游客  2017-11-19 12:25

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    • 游客  2017-11-18 07:38

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    • 游客  2017-11-17 20:09

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    • 游客  2017-11-17 17:52

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    • 游客  2017-11-17 16:30

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    • 游客  2017-11-17 12:07

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    • 游客  2017-11-17 12:06

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    • 游客  2017-11-17 11:55

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      3#

    • 游客  2017-11-17 11:44

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