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    三星刚才宣布量产第二代10nm级别(1y-nm)的8Gb DDR4内存颗粒,新的内存具备更高的频率与更低的功耗,以及更小的尺寸,产能可以比初代10nm级别(1x-nm)的高30%,然而价格嘛……应该暂时不会降。

    新的1y-nm 8Gb DDR4颗粒采用了先进的专用电路设计技术,性能水平与效能会比1x-nm的高约10%到15%,它能够在3600MHz下运行,而1x-nm的8Gb DDR4颗粒则是3200MHz,也就是说以后的高频内存要以3600MHz起步了。

    目前1y-nm内存的生产还没有用上EUV极紫外光设备,这次用的是高灵敏度细胞数据传感系统(high-sensitivity cell data sensing system)与空气垫片(air spacer)方案,前者可以更准确地确定每个单元中存储的数据,从而显著提高电路集成度和生产效率,后者是在位线周围布置独特的空气垫片,这样可以显著降低寄生电容。

    现在1y-nm DDR4内存模组已经完成了与CPU厂商的相关验证工作,接下来计划于全球IT客户合作,开发下一代计算系统,随着1y-nm内存投产所带来的技术储备,三星可以加速下一代内存产品DDR5、HBM3、LPDDR5以及GDDR6上的研发,可以进一步巩固三星在存储市场上的地位。

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    • 超能网友终极杀人王 2017-12-21 21:54    |  加入黑名单

      超能网友 终极杀人王

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
      2017-12-21 19:31
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      21#

    • 超能网友终极杀人王 2017-12-21 19:31    |  加入黑名单

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    • 游客  2017-12-21 14:48

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      2017-12-21 14:35
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      18#

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    • 游客  2017-12-21 09:27

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      2017-12-21 09:19
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    • 游客  2017-12-21 09:19

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      2017-12-21 04:57
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    • 超能网友终极杀人王 2017-12-21 09:17    |  加入黑名单

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    • 游客  2017-12-21 09:14

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    • 游客  2017-12-21 04:57

      超能网友 终极杀人王

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      2017-12-21 01:38
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    • 游客  2017-12-21 01:42

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