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    今日三星在官网宣布量产10nm级别工艺内存颗粒的SO-DIMM规格DDR4内存,单条最大32GB,频率最高可达2666MHz,同时运行功耗将可以下降39%之多。

    以往在SO-DIMM上实现32GB内存十分费劲,比方说之前的芝奇推出的Ripjaws  3800MHz DDR4内存就是用的三星高端B-die 内存颗粒,但是需要用到四条8GB才能组成总容量32GB。而这一次三星依靠在存储颗粒上的优势,量产出10nm级别单颗粒16Gb(2GB)的内存IC(当然了,这个10nm是三星自己的统称,可能是1xnm,但到不了10nm),最后可以制作出单条32GB的SO-DIMM内存。而且频率进一步提升至2666MHz水平,刚好与现在的高端第八代酷睿处理器相匹配,同时得益于先进纳米工艺的更低漏电率,其功耗从7.4W下降至4.5W,幅度达到39%之多,这个也为增加笔记本续航时间+1s。

    三星表示,推出高容量高规格的SO-DIMM规格内存可以帮助笔记本厂商组建性能更强游戏笔记本,同时自身还会进一步扩展10nm工艺在存储领域的利用,未来还将会推出10nm级别的LPDDR4、GDDR5、DDR4内存颗粒。

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    已有 2 条评论,每一条合规评论都是对我们的褒奖。
    • 游客 2018-05-30 12:24

      苟。。。

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      2#

    • 游客 2018-05-30 11:31

      续航时间什么的,太暴力了

      支持(3)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      1#

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