今年的智能手机除了5G、AI这两个大热点之外，在性能上还会再进一步，内存会升级到LPDDR5标准，闪存也会有UFS 3.0新一代标准，该规范去年初就制定完成了，此前爆料称三星的Galaxy S10手机就会用上自家的UFS 3.0闪存。至于其他厂商，那就要依靠东芝等NAND厂商了，日前东芝就首发了UFS 3.0闪存，容量128/256/512GB，使用的是自家96层堆栈的3D TLC闪存，具体性能没公版，只说比前代读写提升70%、80%，但这个性能追上一些NVMe硬盘还是可以的。

去年这个时候，JEDEC组织正式发布UFS 3.0标准（JESD220D），一道被发布的还有更新后的接口标准（UFSHCI）：JESD223D，以及适用于拓展存储卡标准的UFS Card Extension 1.1（JESD220-2A。过去UFS 2.0采用的HS-Gear2（G2）规范是单通道单向理论带宽1.45Gbps，双通道双向理论带宽就是5.8Gabps；随后UFS 2.1采用的HS-Gear3（G3）理论带宽翻倍达到11.6Gbps，而今天刚刚发布的UFS 3.0标准采用的带宽规范是HS-Gear4（G4），再次实现带宽翻倍，也就是单通道双向11.6Gpps，因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps，大约是2.9GB/s。

东芝的UFS 3.0闪存采用了自家BiCS 4技术的96层堆栈3D TLC闪存，标准11.5x13mm封装，容量128GB、256GB及512GB，不过后两种容量暂时还没出样，现在只有128GB版出样给客户了。

性能方面，东芝没有透露具体的指标，只说比UFS 2.1闪存的读写速度提升了70%、80%，找了下东芝官网，东芝此前发布的了64层堆栈的UFS 2.1闪存的读取速度可达900MB/s，写入为180MB/s，按照这个数据来看UFS 3.0的读取速度约为1.5GB/s，写入速度324MB/s，这个速度跟一些低端NVMe硬盘的性能有得一拼了，毕竟手机UFS闪存在DDR缓存方面会吃亏一些，不然写入速度也可以更好看一些。

至于哪款手机能够首发UFS 3.0闪存，MWC 2019展会上就能见分晓了。