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    今年的智能手机除了5G、AI这两个大热点之外,在性能上还会再进一步,内存会升级到LPDDR5标准,闪存也会有UFS 3.0新一代标准,该规范去年初就制定完成了,此前爆料称三星的Galaxy S10手机就会用上自家的UFS 3.0闪存。至于其他厂商,那就要依靠东芝等NAND厂商了,日前东芝就首发了UFS 3.0闪存,容量128/256/512GB,使用的是自家96层堆栈的3D TLC闪存,具体性能没公版,只说比前代读写提升70%、80%,但这个性能追上一些NVMe硬盘还是可以的。

    去年这个时候,JEDEC组织正式发布UFS 3.0标准(JESD220D),一道被发布的还有更新后的接口标准(UFSHCI):JESD223D,以及适用于拓展存储卡标准的UFS Card Extension 1.1(JESD220-2A。过去UFS 2.0采用的HS-Gear2(G2)规范是单通道单向理论带宽1.45Gbps,双通道双向理论带宽就是5.8Gabps;随后UFS 2.1采用的HS-Gear3(G3)理论带宽翻倍达到11.6Gbps,而今天刚刚发布的UFS 3.0标准采用的带宽规范是HS-Gear4(G4),再次实现带宽翻倍,也就是单通道双向11.6Gpps,因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps,大约是2.9GB/s。

    东芝的UFS 3.0闪存采用了自家BiCS 4技术的96层堆栈3D TLC闪存,标准11.5x13mm封装,容量128GB、256GB及512GB,不过后两种容量暂时还没出样,现在只有128GB版出样给客户了。

    性能方面,东芝没有透露具体的指标,只说比UFS 2.1闪存的读写速度提升了70%、80%,找了下东芝官网,东芝此前发布的了64层堆栈的UFS 2.1闪存的读取速度可达900MB/s,写入为180MB/s,按照这个数据来看UFS 3.0的读取速度约为1.5GB/s,写入速度324MB/s,这个速度跟一些低端NVMe硬盘的性能有得一拼了,毕竟手机UFS闪存在DDR缓存方面会吃亏一些,不然写入速度也可以更好看一些。

    至于哪款手机能够首发UFS 3.0闪存,MWC 2019展会上就能见分晓了。

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    • 超能网友教授 2019-01-24 22:45    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      10#

    • 游客  2019-01-24 16:25

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      9#

    • 超能网友终极杀人王 2019-01-24 15:26    |  加入黑名单

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      8#

    • 游客  2019-01-24 15:24

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      7#

    • 超能网友教授 2019-01-24 14:58    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      6#

    • 超能网友等待验证会员 2019-01-24 14:06    |  加入黑名单

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      5#

    • 超能网友博士 2019-01-24 14:03    |  加入黑名单

      游客

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
      2019-01-24 13:41
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      4#

    • 游客  2019-01-24 13:59

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      3#

    • 超能网友一代宗师 2019-01-24 13:56    |  加入黑名单

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      2#

    • 游客  2019-01-24 13:41

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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