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    半导体元件的制造,制程越小越困难,所面临的物理限制越来越高,现在能量产的工艺节点已经来到7nm,往后制程的升级越来越困难,所以催生出了EUV光刻技术,比如在同样是7nm制程的情况下,可将晶体管密度提升,同频率下功耗降低,不过EUV光刻技术还有一个优点就是有助于降低单位生产成本。现在,DRAM厂商在面对DRAM价格不断下跌的困境下,已经在考虑导入EUV技术用于制造DRAM,主要目的是为了降低成本。

    DRAMeXchange报道,DRAM市场供给过剩导致价格不断下跌,DRAM厂虽然尽量减产但仍然无法让价格明显止跌,维持获利的唯一方法就是微缩制程来降低单位生产成本。不过,DRAM制程向1z纳米或1α纳米制程推进的难度愈来愈高,随着EUV量产技术获得突破,或可有效降低DRAM成本。

    据悉,三星预期在今年11月开始量产采用EUV技术的1z纳米DRAM,量产初期将与三星晶圆代工共享EUV设备,初期使用量虽不大,但却等于宣示DRAM光罩微影技术会朝EUV方向发展。至于SK海力士及美光也已表明开始评估采用EUV技术,业界预期将可能在1α纳米或1β纳米世代开始导入。

    三星的1z纳米属于第三代10nm级工艺,10nm级工艺并不是10nm工艺,由于20nm节点之后DRAM的工艺升级变得困难,所以DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确,于是有了1xnm、1ynm及1znm之分,简单来说1xnm工艺相当于16-19nm,1ynm工艺相当于14-16nm,1znm工艺大概是12-14nm级别,而在这之后还有1α及1β工艺。

    由于先进制程采用EUV微影技术已是趋势,在台积电第二季EUV技术7+纳米进入量产阶段并获华为海思订单后,三星晶圆代工也采用EUV量产7纳米制程,英特尔预期2021年7纳米会首度导入EUV技术。而随着制程持续推进至5纳米或3纳米后,EUV光罩层会明显增加2~3倍以上,对EUV光罩盒需求亦会出现倍数成长。

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