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MRAM磁阻式随机存储芯片作为下一代存储芯片,近几年也是备受关注。从今年年初开始已经有如英特尔、三星等厂商宣布将量产MRAM存储芯片。现在又有一家叫做Everspin的公司宣布旗下的MRAM存储芯片进入试生产阶段。


图片来自BusinessWire

Everspin宣布已完成1Gb的STT-MRAM(自旋扭矩传递磁阻随机存储器)的研发工作,将进入试生产阶段,采用28nm工艺制造。在去年Everspin就已经批量生产了256Mb的STT-MRAM存储芯片,让企业基础设施及数据中心增强其可靠性及性能。此次试生产的1Gb容量产品大幅提升了这类产品的容量的同时,也提供了更有效的I/O流管理、提高了其延迟确定性并允许存储OEM提供商为他们的产品显著提升服务质量。而采用1Gb容量的STT-MRAM存储设备作为存储和结构加速器、计算存储及其他应用的持久数据缓冲器,也可以实现类似的优势。

此次Everspin推出的1Gb STT-MRAM存储器使用了8bit及16bit的DDR4接口,兼容JEDEC标准的BGA封装方式,更增强了其适用性。

Everspin公司可能并不为读者所了解,这家公司在2008年从飞思卡尔半导体剥离,专注于研发MRAM磁阻随机存储器,其研发人员此前一直都在研发MRAM。

本次Everspin将STT-MRAM的容量提升至1Gb是这类产品的一个里程碑,但这个容量依旧不是很大,即使MRAM具有非易失性存储器的持久性,而且其随机性能很强,但是作为SSD等产品容量依旧不够,所以嵌入式设备更适合搭载MRAM存储芯片。随着今年开始越来越多的公司开始批量生产MRAM存储芯片,未来我们会更快见到MRAM产品的推出。



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