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    为了迎接5G时代的到来,西部数据宣布推出最新的iNAND MC EU521闪存,符合JEDEC最新规范的UFS 3.1闪存,在第六代SmartSLC缓存技术的加持下,顺序写入速度最高可以达到800MB/s,具有128GB以及256GB两种规格,封装尺寸11.5x13x1.0mm。更为详细的技术规格可以点击这里查看

    至于应用层面,西数表示iNAND MC EU521可以用在智能手机、平板的设备内,为游戏、AR/VR、机器学习、人工智能等场景加速。

    相较于UFS 3.0,UFS 3.1新增以下三大特性:

    Write Booster:就是SSD上常见的SLC Cache,可以显著提升写入速度;

    DeepSleep:深度睡眠这个很好理解,就是可以让UFS设备进入一个低功耗状态,降低设备功耗;

    Performance Throttling Notification:性能限制通知,由于高温到时存储设备性能受限时,UFS设备可以告知系统。

    实际落地产品上,目前将于2月25日发布的iQOO 3手机已经宣布会使用UFS 3.1闪存,至于使用的是谁家的UFS 3.1闪存,则还有待进一步确认。

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    • 游客 02-19 22:14

      闪迪被这个B收购了以后都没什么存在感了

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      支持(7)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      2#

    • 游客 02-19 18:34

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      1#

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