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    在今年年初我们报道过三星已经攻克了3nm工艺的关键GAA全能门技术,并且打算在2021年实现量产,并希望以此在3nm竞争中击败台积电,但由于新冠病毒的大流行,这一计划可能要被推迟了。

    根据Digitimes的报道,由于新冠病毒的流行打乱了三星公司原本为新生产线安装设备的安排,因为病毒对物流和运输服务的影响导致了EUV和其他生产设备的交付延迟了,三星可能会把3nm工艺的投产时间推迟到2022年,这对三星会造成什么影响暂时还未知。

    三星的3nm工艺将不再使用FinFET技术相而是转向GAA技术,新的技术可以让芯片面积减少35%,功耗下降约50%,3nm GAA工艺与5nm FinFET工艺相比,同样功耗情况下性能提升33%。

    GAA全能门与FinFET的不同之处在于,GAA设计围绕着通道的四个面周围有栅极,从而确保了减少漏电压并且改善了对通道的控制,这是缩小工艺节点时的基本步骤,使用更高效的晶体管设计,再加上更小的节点尺寸,和5nm FinFET工艺相比能实现更好的能耗比。

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    • l7856799高中生 04-17 21:18

      集中散热才让人头大呀!
      钎焊是必须的,胶水芯片可以有

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      6#

    • 游客 04-07 14:00

      台积电DDR5内存

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      5#

    • QQ23870862终极杀人王 04-07 12:42

      超越不了台积电了

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      4#

    • 游客 04-07 11:54

      找個理由順勢延後罷了...

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      3#

    • 游客 04-07 10:49

      又可以挤牙膏了

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      2#

    • 新鲜萝卜皮博士 04-07 10:26

      来了来了

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      1#

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