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    目前DRAM内存的制程处在10nm级工艺,其中第三代10nm级工艺被业界称为1znm工艺,该工艺节点是当前DRAM内存在量产方面的最新节点,三星最早去年三月份首发了1znm工艺的8Gb DDR4 DRAM内存,美光随后在八月份宣布他们的1znm制程也开始量产了,并且是用于16Gb颗粒的生产,现在美光正在积极扩大其1znm DDR4 DRAM生产线。

    DigiTimes报道,有知情人士称,存储器制造商美光(Micron)正在对其台湾工厂的1znm DDR4 DRAM生产线进行大量投资。1znm工艺是存储器行业中最新的节点尺寸,具有更高的密度,更高的效率和更快的速度。


    据报道,在这个1znm的生产增长阶段,美光专注于生产用于台式机和笔记本电脑的16Gb颗粒的DDR4内存产品,生产在台中进行。同时,美光还计划在其桃园工厂推动1ynm内存产品的批量生产,美光在广岛的工厂现在致力于生产用于移动平台的低功耗内存产品。 预计该公司还将在1znm节点上生产其大部分早期DDR5产品,不过暂时美光的主要重点仍然是DDR4。

    1znm工艺属于10nm级工艺,但10nm级工艺并不是10nm制程,这是由于20nm节点之后DRAM的工艺升级变得困难,所以DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确,于是有了1xnm、1ynm及1znm之分,简单来说1xnm工艺相当于16-19nm,1ynm工艺相当于14-16nm,1znm工艺大概是12-14nm级别,而在这之后未来还有1α及1β工艺等待被研发和应用。








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    已有 2 条评论,共 3 人参与。
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    • 游客  2020-05-18 15:12

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 超能网友终极杀人王 2020-05-14 13:55    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      1#

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