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台积电研发部门副总孙元成
日前,台积电研发部门副总裁孙元成(Jack Sun)在日本举行的一次研讨会上表示已成功研发出28nm低功耗工艺技术,并将在2010年初为客户提供28nm全代技术代工服务,并提供高性能和低功耗两种选择。
台积电表示,借助双/三栅氧技术能够使32nm的硅氧氮化物(SiON)/多晶硅(Poly Si)材料得以在28nm工艺上继续使用,而且,28nm 64Mb SRAM结构上已经获得了较高的良品率。台积电还展出了仅0.127平方微米的单元,原始栅极密度已达到每平方毫米390万个。
据称,与45nm工艺相比,新技术所具备的待机/运行低功耗能带来最多25%-40%的速度提升,同时功耗可降低30%-50%。
消息来源:[Digitimes]