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日前，三星（Sumsung）宣布开始批量生产业内首款40nm工艺的2Gb DDR3内存颗粒。
据三星表示，采用40nm工艺相比50nm的，在生产效率方面能够带来60%的提升。新的2Gb内存颗粒能够在1.35V的电压下达到1.6Gbps的传输速度，比1Gb的800Mbps有两倍的提升。
三星2Gb的DDR3内存颗粒将用于制作16GB、8GB、4GB的服务器内存，以及单根最大容量4GB的工作站、桌面PC或笔记本内存。
据市场调研公司iSuppli的调查，2Gb DDR3在2010年将成为主流规格的内存，而到2012年其占有率将达到82%。
