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日前,三星(Sumsung)宣布开始批量生产业内首款40nm工艺的2Gb DDR3内存颗粒。
据三星表示,采用40nm工艺相比50nm的,在生产效率方面能够带来60%的提升。新的2Gb内存颗粒能够在1.35V的电压下达到1.6Gbps的传输速度,比1Gb的800Mbps有两倍的提升。
三星2Gb的DDR3内存颗粒将用于制作16GB、8GB、4GB的服务器内存,以及单根最大容量4GB的工作站、桌面PC或笔记本内存。
据市场调研公司iSuppli的调查,2Gb DDR3在2010年将成为主流规格的内存,而到2012年其占有率将达到82%。