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    TechPowerup报道,三星宣布推出业界首款单条容量512GB的DDR5内存模组,采用了High-K Metal Gate(HKMG)的DDR5内存颗粒,以降低漏电率。新的DIMM是为下一代使用DDR5内存的服务器设计的,包括使用AMD代号Genoa的Epyc系列处理器和英特尔代号Sapphire Rapids的Xeon系列处理器的服务器。

    三星利用TSV硅穿孔技术实现8层堆叠,以确保低功耗和高质量的信号传输,单颗DRAM芯片容量为16Gb, 512GB的DDR5内存模组总共需要32颗。新的DDR5内存的性能比DDR4内存提高了一倍,最高可达7200Mbps的传输速率,可以满足超算、AI和机器学习等领域的计算要求。

    这不是三星第一次使用HKMG工艺,早在2018年就开始应用在GDDR6显存上,所以这款DDR5内存的数据传输速率应该不低。三星表示由于DDR5电压降低、HKMG的应用和其他改进的帮助下,其功耗比前一代产品降低了13%。三星电子DRAM部门副总裁Young-Soo Sohn表示:

    “三星是目前唯一一家能够使用HKMG制造内存芯片的半导体厂商。通过将这种创新工艺引入到DRAM制造,我们可以为客户提供高性能、高能效的内存解决方案,为医学研究、金融市场、自动驾驶、智慧城市以及其他领域所需的应用提供动力。”

    如果服务器处理器的内存配置为八通道,且每通道有两个插槽,三星的512GB DDR5内存模组可以使每个处理器配备8TB的内存。三星表示已经开始和服务器领域的合作伙伴进行测试,预计下一代服务器处理器上市的时候,也会随之得到认证。

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    • 超能网友高中生 2021-04-06 15:17    |  加入黑名单

      超能网友 博士

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      2021-04-02 17:56
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      14#

    • 超能网友博士 2021-04-02 17:56    |  加入黑名单

      超能网友 高中生

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      2021-04-01 16:11
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      13#

    • 超能网友高中生 2021-04-01 16:11    |  加入黑名单

      超能网友 博士

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      2021-03-26 16:30
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    • 超能网友教授 2021-03-31 21:52    |  加入黑名单

      超能网友 高中生

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      2021-03-26 09:50
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      超能网友 教授

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      超能网友 高中生

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    • 超能网友终极杀人王 2021-03-25 18:14    |  加入黑名单

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    • 我匿名了  2021-03-25 17:45

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