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    TechPowerup报道,三星宣布推出业界首款单条容量512GB的DDR5内存模组,采用了High-K Metal Gate(HKMG)的DDR5内存颗粒,以降低漏电率。新的DIMM是为下一代使用DDR5内存的服务器设计的,包括使用AMD代号Genoa的Epyc系列处理器和英特尔代号Sapphire Rapids的Xeon系列处理器的服务器。

    三星利用TSV硅穿孔技术实现8层堆叠,以确保低功耗和高质量的信号传输,单颗DRAM芯片容量为16Gb, 512GB的DDR5内存模组总共需要32颗。新的DDR5内存的性能比DDR4内存提高了一倍,最高可达7200Mbps的传输速率,可以满足超算、AI和机器学习等领域的计算要求。

    这不是三星第一次使用HKMG工艺,早在2018年就开始应用在GDDR6显存上,所以这款DDR5内存的数据传输速率应该不低。三星表示由于DDR5电压降低、HKMG的应用和其他改进的帮助下,其功耗比前一代产品降低了13%。三星电子DRAM部门副总裁Young-Soo Sohn表示:

    “三星是目前唯一一家能够使用HKMG制造内存芯片的半导体厂商。通过将这种创新工艺引入到DRAM制造,我们可以为客户提供高性能、高能效的内存解决方案,为医学研究、金融市场、自动驾驶、智慧城市以及其他领域所需的应用提供动力。”

    如果服务器处理器的内存配置为八通道,且每通道有两个插槽,三星的512GB DDR5内存模组可以使每个处理器配备8TB的内存。三星表示已经开始和服务器领域的合作伙伴进行测试,预计下一代服务器处理器上市的时候,也会随之得到认证。

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    已有 14 条评论,共 88 人参与。
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    • 阿白_CJe99高中生 04-06 15:17    |  加入黑名单

      英特尔 博士

      我的意思不是三星的5nm CPU没有hkmg,而是这两年强调DRAM用了,意思是之前的都没有?
      04-02 17:56
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    • 之前应该是没有HKMG的,毕竟内存DRAM的半导体工艺相对简单很多。逻辑处理器半导体工艺复杂很多...

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      14#

    • 英特尔博士 04-02 17:56    |  加入黑名单

      阿白_CJe99 高中生

      告诉一个事实 目前台积电与三星5纳米也是用到High-K Metal Gate,这种降低漏电的半导体新材料。
      只是到14nm以后更多强调的采用FinFET的3D立体架构,没有提High-K Metal Gate技术而已
      04-01 16:11
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    • 我的意思不是三星的5nm CPU没有hkmg,而是这两年强调DRAM用了,意思是之前的都没有?

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      13#

    • 阿白_CJe99高中生 04-01 16:11    |  加入黑名单

      英特尔 博士

      High-K Metal Gate
      英特尔的45nm就开始用的技术,dram这么晚才用上?
      03-26 16:30
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    • 告诉一个事实 目前台积电与三星5纳米也是用到High-K Metal Gate,这种降低漏电的半导体新材料。
      只是到14nm以后更多强调的采用FinFET的3D立体架构,没有提High-K Metal Gate技术而已

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      12#

    • 梦の黑白大学生 03-31 21:52    |  加入黑名单

      阿白_CJe99 高中生

      服务器一点也不奇怪
      03-26 09:50
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    • 是我孤陋寡闻了,我以为服务器也就几百GB

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      11#

    • 英特尔博士 03-26 16:30    |  加入黑名单

      High-K Metal Gate
      英特尔的45nm就开始用的技术,dram这么晚才用上?

      支持(0)  |   反对(2)  |   举报  |   回复

      10#

    • 阿白_CJe99高中生 03-26 09:50    |  加入黑名单

      梦の黑白 大学生

      内存动辄单条512GB、单处理器配8t内存......我这是穿越到了2050年了?
      03-25 21:23
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    • 服务器一点也不奇怪

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      9#

    • 梦の黑白大学生 03-25 21:23    |  加入黑名单

      内存动辄单条512GB、单处理器配8t内存......我这是穿越到了2050年了?

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      8#

    • 阿白_CJe99高中生 03-25 21:01    |  加入黑名单

      阿白_CJe99 高中生

      三星的内存 与硬盘技术 毫无疑问技术最强的
      03-25 21:00 已有5次举报
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    • 三星的内存 与存储芯片技术 有目共睹是全球领导者

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      7#

    • 阿白_CJe99高中生 03-25 21:00    |  加入黑名单

      三星的内存 与硬盘技术 毫无疑问技术最强的

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      6#

    • maomu1981初中生 03-25 19:37    |  加入黑名单

      8条 一共4t 256g做内存 3.8t做硬盘 挺好

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      5#

    • QQ23870862终极杀人王 03-25 18:14    |  加入黑名单

      1G一块要来了?

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      4#

    • 我匿名了  03-25 17:45

      先普及32GB

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      3#

    • Lsl525大学生 03-25 14:49    |  加入黑名单

      DIY用户也用上的时候厉害了..........但是想想显卡,又想FXXK了

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      2#

    • neoarm27研究生 03-25 14:38    |  加入黑名单

      真的不用硬盘了

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      1#

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