美光宣布，目前已开始使用最新的1α工艺节点批量生产DRAM芯片。在今年年初，美光曾表示该工艺节点将用于8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4内存生产上，随着时间的推移，计划用于所有类型的DRAM，会显着降低DRAM成本。

与很多同行业的竞争对手不一样，美光至少在未来几年内都不会使用EUV光刻技术来生产存储芯片。美光也需要增加存储芯片的密度以降低单位成本，因此要通过其他技术手段来缩小DRAM芯片的尺寸，包括使用新材料。美光1α与1Z工艺节点相比，单位密度提高了40%，功耗下降了20%，同时还能提供更好的潜在性能。

目前使用1α工艺节点生产的8Gb DDR4芯片已经批量出货了，这也是使用1α工艺节点的第一款芯片。在这个月末，美光还会出货使用1α工艺节点生产的LPDDR4X芯片，最终整个产品线都会向1α工艺节点过渡，包括DDR5、HBM2e和GDDR6/GDDR6X芯片。美光首先在中国台湾台中的A3晶圆厂使用了1α工艺节点进行生产，接下来其他晶圆厂也会使用这项新技术。同时美光已完成基于1α工艺生产的DDR4内存在最新服务器平台上的验证，包括AMD第三代EPYC（Milan）系列处理器。

美光还展示了用户服务器的DDR5内存模块，并透漏其DDR5技术赋能计划的情况，有望在今年晚些使用出货DDR5 DRAM IC和内存模块。美光是第一家公开分享DDR5开发进度的企业，由于新一代内存技术和以往的标准有很大的不同，需要各方尽早合作做好准备。

美光在2020年启动了DDR5技术赋能计划（TEP），目的是使支持DDR5内存的平台得到更好的开发，为开发者和使用者提供所有的关键技术信息，同时美光还会向参与这项计划的成员提供DDR5内存的模块和零配件样品。