GlobalFoundries将规划建造第三座晶圆厂Fab 3

　　在上个月GlobalFoundries位于纽约萨拉托加的Fab 2晶圆厂已经正式动工。日前据xbitlabs的报道称，GlobalFoundries即将计划第三座晶圆厂Fab3的兴建事宜。

　　GlobalFoundries的董事长Hector Ruiz表示，“GlobalFoundries目的是在世界上领先其余竞争对手，Fab3晶圆厂将很快会进入规划阶段”。

　　GlobalFoundries的Fab 2工厂建成后将生产300mm晶圆，最初启用28nm技术节点，并在2012年进入22nm节点，而Ruiz并未透露Fab 3工厂将会采用何种节点工艺。

　　目前GlobalFoundries有三个大客户：AMD的处理器部门、AMD的ATI显卡部门以及意法半导体。预料NVIDIA及其他领先世界的芯片设计业者亦会对该公司有着浓厚的兴趣。

　　GlobalFoundries现阶段的发展路线图如下：

　　•Q1 2010——提高32纳米SOI和High-k金属栅极工艺产量；
　　•Q2 2010——开始使用45nm/40nm bulk制造工艺技术；
　　•Q4 2010——开始向合同芯片制造商提供28nm bulk工艺技术；
　　•Q1 2011——推出低功耗High-K 28nm制造工艺；
　　•2H 2012——开始在纽约新工厂生产28nm芯片；
　　•2013——开始过渡到22nm工艺技术，其纽约工厂将联合IBM首次使用22nm制造工艺。