在HotChips 33大会上,三星对外公布了他们正在开发拥有8层TSV封装的DDR5内存,而现在三星的DDR4是用4层TSV封装的,这使得DDR5内存的容量是DDR4的两倍,未来单根512GB的DDR5成为可能。
根据Computerbase的报道,三星通过优化封装,芯片之间的间隙减少了40%,而且使用了薄晶圆技术,这使得8层TSV封装的DDR5高度其实比4层的DDR4更低,而且这还带来了更好的散热能力。
一根DDR5内存的容量能达到512GB,这和DDR4相比是一个巨大进步,目前面向服务器市场的DDR4内存最多做到单根256GB,而消费级市场最多是64GB和32GB。
三星预计DDR5内存会比DDR4性能提高85%,可提供7.2Gbps的带宽,并且有两倍的容量,而且DDR5内存模块的电压只有1.1V,这使得它工作起来更为节能。当然了三星所说的512GB是指服务器内存,普通消费市场不用期待单根内存容量很快突破64GB。
三星预测要到2023或2024年主流市场才会过度到DDR5,而数据中心市场转向会更快一些,所以三星计划在今年年底前生产512GB的DDR5-7200内存模组。
终结之谷瀑布教授 2021-08-23 16:41 | 加入黑名单
问题来了,延迟多少
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传说中的的小白教授 2021-08-23 11:55 | 加入黑名单
以后玩游戏硬盘就读取一次,一两百G全部读到内存里摆着。
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我匿名了 2021-08-23 10:28
以后开机就可以把C盘的数据全部读取到内存。
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