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海力士半导体今天宣布了4Gb的高性能DDR内存芯片,可支持用于移动互联网设备(MID)的Intel Moorestown平台。
该款芯片在容量上比现有产品提升一倍,最大工作速度为400Mbps,能够以最大1.6Gb/s的速度传送数据。海力士4Gb DDR芯片将采用多芯片封装(MCP)和层叠封装(PoP)等小体积的封装工艺,是MID、上网本和高端智能手机等移动应用平台的理想选择。
海力士4Gb DDR内存芯片符合JEDEC标准,将于今年第三季度开始投入量产,以满足移动应用领域对高密度高性能内存的需求。