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    此前就有媒体报道,台积电(TSMC)将在2022年下半年量产N3制程节点,并计划推出名为N3E的增强型3nm工艺,量产时间为2023年下半年。相比之下,三星在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺,并在2022年上半年量产第一代3nm工艺。

    台积电总裁魏哲家曾表示,N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构,是为客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本。在台积电3nm工艺技术推出的时候,将成为业界最先进的PPA和晶体管技术,N3制程节点将成为台积电另一个大规模量产且持久的制程节点。N3E作为N3的扩展,将拥有更好的性能和功耗表现。

    据TechTaiwan报道,台积电近期已经在Fab 18中启动了3nm芯片的试生产,按照时间表,第一批3nm芯片将会在2023年初出货。台积电N3制程节点专为智能手机和高性能计算(HPC)芯片而设计,在N5制程节点上进一步应用极紫外光刻(EUV)技术,光罩层数将超过20层。台积电承诺N3工艺相比N5工艺,性能可提高10%-15%,或者降低25%-30%的功耗。

    早有传闻英特尔和苹果已率先获得台积电N3制程节点的产能,前者会将该工艺使用在2023年发布的Meteor Lake上,制造GPU模块。据DigiTimes报道,台积电第一批N3制程节点的产能不到6万片晶圆,到2023年上半年,月产量将提高到4万片晶圆以上,产能非常有限。近期苹果和英特尔正在争夺有限的N3制程节点产能,英特尔高层人员甚至亲自到中国台湾与台积电管理层见面,希望进一步拉近关系争取更多产能配额,并商谈N2制程节点的合作。

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    已有 5 条评论,共 31 人参与。
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    • 家园会员初中生 2021-12-12 20:21    |  加入黑名单

      qg19870914 博士

      intel3(10nm+)工艺赶紧的跟上
      2021-12-04 17:23
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    • intel3的性能密度和台积电3nm类似,就是要晚一年!估计英特等不及了

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      5#

    • qg19870914博士 2021-12-04 17:23    |  加入黑名单

      intel3(10nm+)工艺赶紧的跟上

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      4#

    • JaxonLau终极杀人王 2021-12-04 11:43    |  加入黑名单

      强 领先INTEL四年 INTEL起码2025年才能推出相同纳米芯片

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      3#

    • zhaoyun980终极杀人王 2021-12-03 19:12    |  加入黑名单

      永远的供不应求。。。

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      2#

    • vigo93终极杀人王 2021-12-03 12:18    |  加入黑名单

      前几天“Intel CEO痛斥台积电、三星不公平竞争:成本低了40%” 现在就来抢产能了?intel的都是人格分裂吗

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      1#

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