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    三星今日公布了世界首款基于MRAM(非易失磁阻内存)的内存内计算,相关论文也由《Nature》在线发表,同时会在即将出版的纸质版《Nature》杂志上刊登。这篇名为《用于内存内计算的磁阻存储器件的交叉阵列》的论文展示了三星在内存技术上的领先地位,以及在下一代人工智能(AI)芯片中合并存储器和半导体系统所做的努力。

    该研究是由三星高级技术研究院(SAIT)与三星电子代工业务和半导体研发中心一起展开,由SAIT研究员Seungchul Jung博士、SAIT研究员、哈佛大学教授Donhee Ham博士、以及SAIT技术副总裁Sang Joon Kim博士带领的团队进行。

    在现代标准计算机架构中,数据存储在内存芯片中,数据计算在处理器中进行。相比之下,内存计算是一种新的计算方式,旨在内存网络中同时执行数据存储和数据计算。由于该方案可以处理存储在内存本身的大量数据,而无需将数据传输,而且内存中的数据处理会以高度并行的方式进行,将可以大大降低功耗。因此,内存计算已成为实现下一代低功耗人工智能半导体芯片最有前途的技术之一。

    三星的研究人员通过架构创新提供了解决方案,成功开发了一种MRAM阵列芯片,应用了名为“电阻总和(resistance sum)”新型内存计算架构,解决了单个MRAM器件的小电阻问题。三星的研究团队通过该MRAM芯片进行AI运算,并对其性能进行了测试,结果显示在手写数字分类方面的准确率达到了98%,而在场景中检测人脸方面的准确率达到了93%。

    三星认为,MRAM芯片未来还能作为下载生物神经元网络的平台,因为其计算架构与大脑神经元网络较为类似。

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    已有 2 条评论,共 21 人参与。
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    • neoarm27博士 01-14 12:09    |  加入黑名单

      内存挖矿

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      2#

    • cnbeta一代宗师 01-13 15:14    |  加入黑名单

      原图 → 中等AI优化 → 极致AI优化

      支持(19)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      1#

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