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    三星在2021年高调地进行半导体扩张计划,表示未来十年将投资1515亿美元用于晶圆厂的建设,并在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺,计划2022年上半年量产第一代3nm工艺,2023年量产第二代3nm工艺。三星希望通过提升产能,加快工艺技术的研发,拉近与领头羊台积电(TSMC)之间的距离。

    一般讨论三星半导体制造技术的时候,都会将目光聚焦在先进制程节点上,比如3nm/4nm/5nm工艺。事实上,三星和台积电的差距不止在先进工艺技术上,还有包括成熟制程节点的产能和相关供应链的配套上。据Business Korea报道,三星正在考虑建立自己的芯片测试和封装厂,以便更好地为合作伙伴提供全方位的服务。三星还打算改进旧工艺来提高性能和成本竞争力,同时扩展成熟制程节点的产能,用于制造CMOS图像传感器(CIS)等芯片。

    去年三星在“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上,介绍了用于CIS、DDI、MCU的17LPV工艺,即Low Power Value的17nm工艺。作为28nm的衍生工艺,在原工艺基础上加入了14nm工艺使用的FinFET工艺技术,以相对低成本享受到新的技术优势。与原有的28nm工艺相比,芯片面积可减少43%,性能提高39%或功耗降低49%。

    传闻三星计划到2026年的时候,其晶圆代工业务的客户数量达到300家以上。相比之下,台积电2022年的客户数量预计将有500家以上,而三星仅突破100家,两者相差了五倍。目前在台积电的营收里,先进工艺和成熟工艺大概各占一半,三星则是先进工艺占据了大部分营收。此外,三星现阶段在汽车和人工智能领域的芯片制造上,仍处于起步阶段,这将是未来其晶圆代工是否能继续壮大的关键。

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