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    美光宣布,将推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存。目前美光已准备在在2022年年末开始生产新款232层3D TLC NAND闪存芯片,并计划将其用在包括固态硬盘在内的各种产品上。

    据TomsHardware报道,美光的232层3D NAND闪存芯片采用了CuA架构,使用NAND的字符串堆叠技术,初始容量为1Tb(128GB)。CuA架构叠加新技术可以大大减小1Tb 3D TLC NAND闪存的芯片尺寸,这有助于降低成本,使得美光可以更积极地为搭载这些芯片的产品定价,或者提高产品的利润。

    美光的科技和产品执行副总裁Scott DeBoer表示,正在和第三方主控芯片的开发人员密切合作,不但提供对232层3D NAND闪存芯片的支持,而且能确保对主控芯片与闪存芯片之间的优化,这一直是美光垂直产品整合的重要组成部分,以便搭建围绕数据中心和客户端固态硬盘产品。

    美光暂时还没有公布232层3D NAND闪存芯片的具体参数,不过似乎会比现有的3D NAND闪存性能要更好一些,以适应下一代支持PCIe 5.0固态硬盘的需求。美光还表示,新款芯片的能耗也更低一些,这可能与其注重移动领域的应用有关。

    由于量产时间是在2022年年末,预计搭载232层3D NAND闪存芯片的产品将会在2023年出现。

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    已有 1 条评论,共 4 人参与。
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    • melody6906高中生 05-14 10:54    |  加入黑名单

      多叠几层也能提升储存密度,QLC还是别弄了,机械硬盘都不如。我宁愿买机械硬盘。

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