美光宣布，将推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存。目前美光已准备在2022年末开始生产新款232层3D TLC NAND闪存芯片，并计划将其用在包括固态硬盘在内的各种产品上。
据TomsHardware报道，美光的232层3D NAND闪存芯片采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，初始容量为1Tb（128GB）。CuA架构叠加新技术可以大大减小1Tb 3D TLC NAND闪存的芯片尺寸，这有助于降低成本，使得美光可以更积极地为搭载这些芯片的产品定价，或者提高产品的利润。
美光的科技和产品执行副总裁Scott DeBoer表示，正在和第三方主控芯片的开发人员密切合作，不但提供对232层3D NAND闪存芯片的支持，而且能确保对主控芯片与闪存芯片之间的优化，这一直是美光垂直产品整合的重要组成部分，以便搭建围绕数据中心和客户端固态硬盘产品。
美光暂时还没有公布232层3D NAND闪存芯片的具体参数，不过似乎会比现有的3D NAND闪存性能要更好一些，以适应下一代支持PCIe 5.0固态硬盘的需求。美光还表示，新款芯片的能耗也更低一些，这可能与其注重移动领域的应用有关。
由于量产时间是在2022年年末，预计搭载232层3D NAND闪存芯片的产品将会在2023年出现。
melody6906大学生 2022-05-14 10:54 | 加入黑名单
多叠几层也能提升储存密度，QLC还是别弄了，机械硬盘都不如。我宁愿买机械硬盘。
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