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    此前美光公布了其NAND闪存计划,表示将推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存,并准备在在2022年年末开始生产该款闪存芯片,将用在包括固态硬盘在内的各种产品上。近日,另一间存储大厂西部数据也公布了自己的NAND闪存计划。

    据TechPowerup报道,西部数据正在与铠侠(Kioxia)合作,双方合作开发的第六代162层BiCS Flash将会在今年量产。目前其他厂商已经推进到176层,不过西部数据的162层BiCS Flash可以提供相同的容量。西部数据表示,其闪存芯片的尺寸比竞争对手更小,这是一个优势,意味着每片晶圆能够制造更多的芯片。

    据西部数据的介绍,第六代BiCS Flash可以实现单片晶圆提供100TB容量,相比2020年时候的70TB有所增加。西部数据与铠侠计划在2024年将称之为BiCS+的堆叠层数提高到200层以上,到2032年将出现500层堆叠的NAND闪存。第一款采用BiCS+闪存将用于数据中心产品,将比目前的第六代162层BiCS Flash的传输速度提高60%,每片晶圆的容量也将提高55%。

    事实上,西部数据和铠侠在去年年初,就已宣布合作开发了第六代162层BiCS Flash。按照当时铠侠的说法,与第五代技术相比,第六代技术的横向单元阵列密度提高了10%,结合162层堆叠式垂直存储器,与112层堆叠技术相比,可将芯片尺寸缩小40%。通过采用阵列CMOS电路布局和四路同时操作,与上一代产品相比,性能提高了近2.4倍,读取延迟上提高了10%。I/O性能也提高了66%。

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    已有 2 条评论,共 9 人参与。
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    • lyahehehehe博士 05-18 05:10    |  加入黑名单

      96层直写速度yyds

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      2#

    • 英特尔博士 05-17 12:43    |  加入黑名单

      相信西数的技术实力是有的,但是型号抽奖的臭毛病偏不改

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      1#

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