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    过去几个月里,三星的晶圆代工业务一直处在风暴的中心。今年初先是传出三星电子管理层决定针对半导体工艺的相关问题展开调查,接着又爆出了员工泄密事件,随后先进制程的良品率和效能问题,导致高通和英伟达将新品订单转向台积电(TSMC),近期的统计数据显示,由于订单流失,三星成为排名前十代工厂中唯一负增长企业。

    最近三星的实际负责人李在镕前往欧洲,其中一项日程就是前往荷兰的ASML,商讨双方未来的合作,以获得更多的极紫外(EUV)光刻机。据韩联社报道,预计三星将会在下周宣布3nm工艺量产,在新一代制程工艺的生产时间上抢先于台积电。

    三星将在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺,与现有的FinFET相比,可实现30%的性能提升、50%的功耗降低、以及减少45%的面积。相比之下,台积电的N3制程节点仍将使用FinFET,不过会引入FINFLEX技术,量产时间将会在今年下半年,有传言称是8月份。

    在月初的欧洲之行结束后,李在镕就表示:

    “第一是技术,第二是技术,第三也是技术。”

    虽然三星已下定决心投入更多资金用于先进半导体技术的研发,以求在未来数年内赶超台积电,不过前路依旧困难重重。多个消息渠道表明,即便三星抢先量产3nm工艺,也面临缺乏客户订单的窘况。Business Korea,三星将会在2025年量产2nm工艺,在下一代半导体工艺上与台积电仍保持同步。

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    已有 4 条评论,共 35 人参与。
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    • Suffer博士 06-28 12:29    |  加入黑名单

      造自己的芯片证明自己啊

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      4#

    • lyahehehehe博士 06-25 00:02    |  加入黑名单

      三星就想着弯道超车了,结果发现自己油没加够

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      3#

    • zhaoyun980一代宗师 06-24 19:15    |  加入黑名单

      已经丧失了客户的信心啊

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      2#

    • cailiao1987博士 06-24 12:21    |  加入黑名单

      就怕是规格缩水的3nm

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      1#

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