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    美光宣布,已开始量产全球首款232层的3D TLC NAND闪存,采用领先行业的创新技术,为存储解决方案带来了前所未有的性能。与过往美光的NAND闪存芯粒相比,232层的NAND闪存有着业界最高的密度,并提供了更大的容量和更高的能效,从而为客户端到云端等数据密集型用例提供一流的支持。

    美光的技术和产品执行副总裁Scott DeBoer表示,232层的NAND闪存是存储创新的分水岭,首次证明了生产中将NAND闪存扩展到200层以上的能力,该项突破性的技术需要广泛的创新,包括创建高纵横比结构的先进工艺能力、新型材料的进步以及基于176层NAND闪存在设计上的改进。

    这款232层NAND闪存引入了业界最快的I/O速度,达到了2.4 GB/s,比176层的NAND闪存高出50%,同时写入带宽提升100%,读取带宽提升75%。同时还是全球首款量产的六平面TLC NAND闪存,不但比其他同类TLC NAND闪存有着更多的平面,而且每个平面都具有独立的读取能力。高I/O速度、低读写延迟和六平面架构相结合,使其能够提供一流的数据传输速度。

    此外,美光的232层NAND闪存是首款支持NV-LPDDR4的产品,这是一种低压接口,与之前的I/O接口相比,每比特传输节省30%以上能耗。232层NAND闪存的紧凑外形为产品的设计提供了更多的灵活性,其每平方毫米TLC密度为14.6 Gb/mm²,比其他同类产品提高了35%到100%。另外,232层NAND闪存采用新的11.5 x 13.5 mm封装,尺寸比前几代产品减小了28%,使其成为市面上最小的高密度NAND闪存,能最大限度地减少电路板空间。

    美光表示,232层3D TLC NAND闪存已经在其位于新加坡的工厂开始批量生产,首批芯粒将用于英睿达(Crucial)的消费端SSD,随后再供应给其他产品使用。

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    已有 2 条评论,共 15 人参与。
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    • 晕陀陀一代宗师 07-27 20:41    |  加入黑名单

      也太快了

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      2#

    • 奥德雷帝斯博士 07-27 12:01    |  加入黑名单

      美光的颗粒技术确实不错,但旗下英睿达的消费级SSD么就不敢恭维了

      支持(13)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      1#

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