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    这个月初,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存,已向合作伙伴发送了238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。

    据Business Korea报道,三星已经完成了采用第八代V-NAND技术产品的开发,将采用236层3D NAND闪存芯片,预计会在今年内实现批量生产。此外,三星还计划在本月开设一个新的研发中心,将负责开发更先进的NAND闪存产品。

    在NAND闪存市场里,三星的市场份额是最高的,到达了35%。不过目前三星的NAND闪存还停留在176层,采用的是第七代V-NAND技术,层数不但低于SK海力士,也落后于美光,这迫使三星加快了新型NAND闪存的开发步伐,以保证竞争优势。

    今年5月份,美光宣布推出232层的3D TLC NAND闪存,并准备在2022年末开始生产,计划用在包括固态硬盘在内的各种产品上。该款芯片采用了CuA架构,使用了NAND的字符串堆叠技术,初始容量为1Tb(128GB)。美光表示,CuA架构叠加新技术可以大大减小1Tb 3D TLC NAND闪存的芯片尺寸,这有助于降低成本。

    此前三星曾表示,将按计划推进600层以上3D NAND闪存的研发,未来层数可能会超过1000层。同时会根据市场需求决定什么时候开始批量生产,一般12至18个月会进行更新。参照这样的时间表,搭载238层NAND闪存的存储设备大概率能在今年内看到。

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    • QQ23870862终极杀人王 08-17 23:02    |  加入黑名单

      加快降价清货

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