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    2022/09/19 15:17 更新:我们收到芝奇官方的回复,表示目前旗下的DDR5内存上并没有采用三星HKMG DDR5内存颗粒,相关报道内容不实。


    2022/09/17 14:37 原文:三星在去年三月推出了业界首款单条容量512GB的DDR5内存,采用了High-K Metal Gate(HKMG)的DDR5内存颗粒,以降低漏电率。其利用TSV硅穿孔技术实现8层堆叠,以确保低功耗和高质量的信号传输,单颗DRAM芯片容量为16Gb。

    据TechInsights报道,目前已经在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5内存中发现了三星HKMG DDR5内存颗粒,未来采用HKMG技术的内存很可能成为新的行业标准。除了DDR5以外,三星也应用在GDDR6上,实现了商业化。

    据The Elec报道,近期三星位于韩国平泽园区的P3生产线已投入运营,将大规模生产NAND闪存芯片。这是三星迄今为止最大的半导体生产设施,于2020年末开始建设,配备了EUV(极紫外光刻技术)光刻设备,旨在为三星的代工服务制造NAND闪存、DRAM和逻辑芯片。与此同时,三星已开始准备建设新的P4生产线。

    三星半导体业务负责人庆桂显(Kyung Kye-hyun)表示,未来会继续投资半导体生产设施,而且不会依赖于半导体市场条件,新的生产线能降低10%的成本,这将降低产品销售的价格。此外,庆桂显坦承三星SoC开发团队的规模仅为竞争对手的三分之一,因此将专注于做好自己力所能及的事情。

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    已有 1 条评论,共 1 人参与。
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    • wufuwen博士 09-20 12:33    |  加入黑名单

      大有退避全家都在国足之嫌…………

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