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    按照台积电(TSMC)的计划,在2022年至2025年期间,将陆续推出N3、N3E、N3P、N3X等工艺,后续还会有优化后的N3S工艺,加上可以使用FINFLEX技术,可涵盖智能手机、物联网、车用芯片、HPC等不同平台的使用需求。台积电在3nm制程节点仍使用FinFET晶体管,不过到了2nm制程节点,即2025年量产的N2工艺将启用全新的Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管。

    据相关媒体的报道,台积电已做出了战略决策,开始为1nm级别的芯片生产铺路,决定选址中国台湾桃园附近的龙潭科技园区,兴建新的晶圆厂。该地点距离台积电总部所在的新竹科技园区不远,将为当地创造数千个高薪工作岗位。

    目前先进半导体工艺的生产设备相当昂贵,估计这间晶圆厂的投资金额大概在320亿美元。相比之下,台积电现有采用3nm和5nm工艺生产的晶圆厂,投资金额约为200亿美元,新晶圆厂有着不小的增幅。

    台积电暂时只披露了N2工艺的计划,接下来更为先进的制造技术会如何发展还不清楚,有业内人士估计,1nm级别的工艺可能要到2027年至2028年才能量产,很可能会用到ASML最为先进的High-NA EUV光刻系统,将提供0.55数值孔径。由于1nm级别工艺的芯片无论设计还是制造成本都非常高,不要指望很多公司和芯片会采用。

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    已有 2 条评论,共 27 人参与。
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    • hstjm2008一代宗师 11-24 08:50    |  加入黑名单

      美机电?

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      2#

    • 下穿穿教授 11-23 13:10    |  加入黑名单

      台积电会逐渐被英特尔超越

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      支持(1)  |   反对(12)  |   举报  |   回复

      1#

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