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    在去年的“英特尔加速创新:制程工艺和封装技术线上发布会”上,英特尔CEO帕特-基尔辛格(Pat Gelsinger)发表了演讲,展示了一系列底层技术创新,这些技术将驱动英特尔到2025年乃至更远未来的新产品开发。

    根据英特尔新版的制程工艺路线图,在Intel 20A制程节点将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。其中RibbonFET是对Gate All Around晶体管的实现,将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

    据Wccftech报道,近日英特尔展示了一份产品路线图,显示Intel 4工艺已进入风险生产阶段,不知道这是否意味着Meteor Lake能在2023年推出,不需要如传言那样延期到2024年。此外,路线图还显示Intel 20A工艺将于2024年上半年进入风险生产阶段,将被Arrow Lake所采用,而Intel 18A工艺则是在2024年下半年进入风险生产阶段。

    英特尔技术开发总经理Ann B Kelleher表示,摩尔定律是关于增加功能的整合,当我们展望未来10到20年时,有一条充满创新的通道。考虑到英特尔在10nm工艺曾经遇到的挫折,当被问及Intel 20A制程节点应用RibbonFET和PowerVia两大技术的过渡及相关风险时,Ann B Kelleher称不一定会同时进行,但已看到转移到PowerVia并启用RibbonFET技术的明显优势,这也促使英特尔加快了开发的工作。

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