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    铠侠(Kioxia)和西部数据宣布,推出218层3D NAND闪存。其采用了先进的缩放和晶圆键合技术,以极具吸引力的成本提供了卓越的容量、性能和可靠性,非常适合满足广泛细分市场中数据呈指数级增长的存储需求。

    铠侠和西部数据通过引入几个独特的工艺和架构来降低成本,实现了持续的横向扩展。这次在垂直和横向扩展之间取得了平衡,可以在更小的芯片中生产出更大的容量,而且层数更少,成本也得到了优化。双方开发了开创性的CBA(CMOS directly Bonded to Array)技术,将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆都是在其最优状态下单独制造的,然后粘合在一起,以提供增强的位密度和快速的NAND I/O接口速度。

    据了解,218层3D NAND闪存是利用了1Tb三层单元(TLC)和四层单元(QLC)的四个平面,通过创新的横向收缩技术,将位密度提高了50%以上。其NAND I/O接口速度超过了3.2Gb/s,比上一代产品提高了60%,再加上写入性能和读取延迟有着20%的提升幅度,将加速用户的整体性能和可用性。

    铠侠首席技术官Masaki Momodomi表示,很高兴通过与西部数据独特的工程合作,成功地推出了具有业界最高1位密度的第八代BiCS FLASH,目前已开始向部分客户提供样品,未来将用于一系列以数据为中心的应用,包括智能手机、物联网设备和数据中心。

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