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    3D NAND可以说是一个相当成功的技术,现在的NAND闪存基本都是3D NAND,那么同时存储芯片的DRAM能不能复制这一技术呢?NEO半导体就真这样干了,他们宣布推出3D X-DRAM,他们对这项专利技术雄心勃勃,旨在取代整个2D DRAM市场。

    3D X-DRAM是首款基于无电容器浮体单元技术的类3D NAND DRAM单元结构,它可以使用3D NAND的工艺制造,并且只需要一个掩模来定义位线孔并在孔内形成单元结构,这种结构简化了工艺步骤,提供一种高速、高密度、低成本、高良率的解决方案。

    根据NEO半导体估计,3D X-DRAM技术可以生产230层堆叠128Gbit的DRAM芯片,存储密度是现在DRAM芯片的8倍,而且预计在2030到2035年间就能实现1Tb的容量,也就是说单根双面的内存就能实现2TB的容量,服务器用内存使用32颗芯片就能实现单根4TB的容量,未来AI应用是驱动高性能和大容量存储器半导体的增长点,3D X-DRAM瞄准的就是这一点。

    Network Storage Advisors总裁Jay Kramer表示:“从2D架构发展到3D架构为NAND闪存带来了引人注目且极具价值的优势,因此在整个行业范围内实现DRAM的类似发展是非常可取的。”目前NEO半导体将寻求把3D X-DRAM专利技术授权给DRAM制造厂商,比如三星、SK海力士和美光等。

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    已有 1 条评论,共 7 人参与。
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    • hahaemm博士 2023-05-05 21:39    |  加入黑名单

      更先进内存一直都存在,而且存在十几年了,比如QDR还有臭名昭著的专利流氓rambus特有的RDRAM家族,为什么没普及,因为问题从来都不是性能,而是大规模普及必要的采购成本,需要高带宽的场景是小众B端,那里有RAMdisk欢迎3D XDRAM随时踢馆

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