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    今日,联发科与台积电共同宣布,联发科首款采用台积电3nm制程工艺生产的天玑旗舰芯片开发进度顺利,日前已成功流片,预计将于明年量产。

    对此,联发科总经理陈冠州表示:“联发科在拓展全球旗舰市场的策略上,致力于采用全球最先进的技术为用户打造尖端科技产品,提升及丰富大众生活。台积电稳定且高品质的制造能力,让联发科在旗舰芯片上的优异设计得以充分展现,以高性能、高能效且品质稳定的最佳芯片方案提供给全球客户,为旗舰市场带来前所未有的用户体验。”

    据台积电介绍,其3纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持,还拥有更强化的性能、功耗以及良品率。与5纳米制程技术相比,台积电3纳米制程技术的逻辑密度增加约60%,在相同功耗下速度提升18%,或在相同速度下功耗降低32%。

    联发科表示,其首款采用台积电3nm制程的天玑旗舰芯片将于2024年下半年上市。

    台积电的3纳米工艺于去年底宣布正式量产,不过由于产能有限,加上台积电报价高昂,首批客户只有苹果公司,占据了台积电3纳米制程节点90%的初期订单量。根据目前的消息,苹果的3纳米芯片A17 Bionic和M3将在今年发布,其中前者将用于iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max,后者则用在新款Macbook机型上。至于高通的3纳米芯片目前还没有准确消息,预计会和联发科再次展开竞争。

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    已有 11 条评论,共 141 人参与。
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    • 作死酱研究生 2023-09-11 12:03    |  加入黑名单

      游客

      那某个还不如三星的所谓7nm,还是良率不够,配合高价联动强行出的东西呢
      2023-09-08 09:00 已有7次举报
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    • 目前的信息,怎么看都是比台积电7稍强的水平吧

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      11#

    • 我匿名了  2023-09-09 15:12

      这个应该不会被禁售吧??

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      10#

    • razorzzh博士 2023-09-08 10:17    |  加入黑名单

      游客

      那某个还不如三星的所谓7nm,还是良率不够,配合高价联动强行出的东西呢
      2023-09-08 09:00 已有7次举报
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    • 三星到现在都不能证明自身的工艺可以支持超过3.X的频率,作为RTX3090的用户,无论是SNAPDRAGON 888和8 GEN 1还是特挑版RTX 3090都无法在3.X的频率稳定运行。
      请问哪个平行宇宙中的三星工艺可以在3.X的频率上稳定运行呢?英特尔已经可以做到在6.0的超频频率稳定运行了。

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      9#

    • razorzzh博士 2023-09-08 10:15    |  加入黑名单

      cnbeta 一代宗师

      先生产出来再说,都还是用Intel 7的10nm,就别比3nm时代的东西了。

      搞不好没撑住,到时候用到台漏电工艺生产CPU,那就丢大脸了。
      2023-09-08 02:02 已有2次举报
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    • 第一点,现在的台积电可不是台漏电了,自从EUV时代台积电和超威半导体共同研发了TSMC N7工艺开始,台积电的技术也可以支持高频了,最明显的例子就是应用了TSMC N5工艺的ZEN 4都可以达到5.X以上的超频。
      第二点,三星到现在都不能证明自身的工艺可以支持超过3.X的频率,作为RTX3090的用户,无论是SNAPDRAGON 888和8 GEN 1还是特挑版RTX 3090都无法在3.X的频率稳定运行。

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      8#

    • 我匿名了  2023-09-08 09:00

      razorzzh 博士

      晶体管密度
      10NM 节点
      英特尔 1.06亿每平方毫米
      台积电 0.53亿每平方毫米
      三星 0.52亿每平方毫米

      7NM 节点
      英特尔 1.8亿每平方毫米
      台积电 0.97亿每平方毫米
      三星 0.95亿每平方毫米

      5NM 节点
      英特尔 3亿每平方毫米
      台积电 1.73亿每平方毫米
      三星 1.27亿每平方毫米

      3NM 节点
      英特尔 5.2亿每平方毫米
      台积电 2.9亿每平方毫米
      三星 1.7亿每平方毫米
      现在水分最大的是三星。
      2023-09-07 18:31 已有2次举报
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    • 那某个还不如三星的所谓7nm,还是良率不够,配合高价联动强行出的东西呢

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      7#

    • cnbeta一代宗师 2023-09-08 02:02    |  加入黑名单

      razorzzh 博士

      晶体管密度
      10NM 节点
      英特尔 1.06亿每平方毫米
      台积电 0.53亿每平方毫米
      三星 0.52亿每平方毫米

      7NM 节点
      英特尔 1.8亿每平方毫米
      台积电 0.97亿每平方毫米
      三星 0.95亿每平方毫米

      5NM 节点
      英特尔 3亿每平方毫米
      台积电 1.73亿每平方毫米
      三星 1.27亿每平方毫米

      3NM 节点
      英特尔 5.2亿每平方毫米
      台积电 2.9亿每平方毫米
      三星 1.7亿每平方毫米
      现在水分最大的是三星。
      2023-09-07 18:31 已有2次举报
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    • 先生产出来再说,都还是用Intel 7的10nm,就别比3nm时代的东西了。

      搞不好没撑住,到时候用到台漏电工艺生产CPU,那就丢大脸了。

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      6#

    • 纠结的板砖大学生 2023-09-07 21:25    |  加入黑名单

      然而嘴硬王者英特尔还在10nm挣扎,可能在想着把英特尔7改名叫英特尔03工艺。

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      5#

    • razorzzh博士 2023-09-07 18:31    |  加入黑名单

      cailiao1987 教授

      台积电有水份,但是目前其他家的水份只会更大
      2023-09-07 17:07 已有3次举报
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    • 晶体管密度
      10NM 节点
      英特尔 1.06亿每平方毫米
      台积电 0.53亿每平方毫米
      三星 0.52亿每平方毫米

      7NM 节点
      英特尔 1.8亿每平方毫米
      台积电 0.97亿每平方毫米
      三星 0.95亿每平方毫米

      5NM 节点
      英特尔 3亿每平方毫米
      台积电 1.73亿每平方毫米
      三星 1.27亿每平方毫米

      3NM 节点
      英特尔 5.2亿每平方毫米
      台积电 2.9亿每平方毫米
      三星 1.7亿每平方毫米
      现在水分最大的是三星。

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      4#

    • 12345jv v ji教授 2023-09-07 18:06    |  加入黑名单

      不如遥遥领先7nm

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      3#

    • cailiao1987教授 2023-09-07 17:07    |  加入黑名单

      Honami 一代宗师

      这个3nm制程 是真的3nm制程吗
      2023-09-07 16:15 已有6次举报
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    • 台积电有水份,但是目前其他家的水份只会更大

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      2#

    • Honami一代宗师 2023-09-07 16:15    |  加入黑名单

      这个3nm制程 是真的3nm制程吗

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      1#

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