台积电2nm制程节点或延期，新工艺量产将推迟到2026年

台积电（TSMC）在2nm制程节点将首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，同时制造过程仍依赖于极紫外（EUV）光刻技术，原计划2024年末将做好风险生产的准备，并在2025年末进入大批量生产，客户在2026年就能收到首批采用N2工艺制造的芯片。

据TechNews报道，台积电在中国台湾的北部（新竹宝山）、中部（台中中科）和南部（高雄楠梓）都有重大投资，兴建2nm工厂，而供应链最新消息指出，新竹宝山的建设项目已经放缓，这将影响原来的量产计划。有业内人士推测，真正实现量产可能要推迟到2026年。

台积电在竹科宝山二期兴建Fab20晶圆厂，共规划了四座12英寸晶圆厂（P1-P4），是新一代N2工艺的启动点，原先安排在2024年下半年进入风险性试产，2025年进入量产阶段。由于受到半导体需求下降、客户采购不明朗等因素影响，台积电开始放缓了工厂的建设。高雄的新厂几乎与宝山同步启动，原计划仅比后者慢一个月，现在不确定是否也会放慢速度。台中的新厂计划已经得到了当地主管部门的批准，不过要等到明年才开始动工，传闻随着计划的改变，台积电或许会让其跳过2nm制程节点，直接递进到1.4nm制程节点。

与三星在3nm制程节点就已引入GAA晶体管架构不同，台积电在3nm制程节点上仍使用FinFET晶体管架构。由于技术难度较大，三星3nm GAA工艺在量产初期就遇到了良品率方面的挑战，台积电很可能也会面临类似的问题。传闻市场因素结合技术原因，让台积电决定将N2工艺的研发生产时间延后，量产时间较大概率推迟到2026年。